K9K8G08U0E-SCB0 是三星(Samsung)生产的一款NAND闪存芯片。该系列芯片广泛应用于需要大容量存储和高速数据传输的设备中,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、移动设备等。它采用了先进的制程工艺,具备高可靠性和低功耗特性。
这款芯片支持串行接口协议,能够实现快速的数据读写操作,同时兼容多种主流控制器。其封装形式为小型化设计,适合在空间有限的电子设备中使用。
容量:8Gb
接口类型:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
数据传输速率:400MB/s
封装形式:BGA
工作温度范围:-25°C ~ +85°C
引脚数:64
K9K8G08U0E-SCB0 具有以下主要特性:
1. 高密度存储能力,单颗芯片即可提供大容量的存储空间。
2. 支持高速数据传输,采用Toggle DDR 2.0 接口协议,确保高效的数据交换。
3. 低功耗设计,在待机和工作状态下都能有效降低能源消耗。
4. 可靠性高,经过严格的质量检测流程,适用于各种工业和消费级应用场景。
5. 小型化封装,便于在紧凑型设计中集成,满足现代电子设备对体积的要求。
6. 支持多种擦写周期,具有较长的使用寿命。
K9K8G08U0E-SCB0 主要应用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD),作为存储介质的核心组件。
2. 嵌入式系统,如工业控制设备、网络路由器等,提供稳定的大容量存储功能。
3. 消费类电子产品,包括智能手机、平板电脑和数码相机等,用于存储用户数据和操作系统。
4. 物联网(IoT)设备,支持长时间运行并保存关键数据。
5. 车载电子系统,如信息娱乐系统和导航设备中的数据存储部分。
K9K8G08U1M, K9K8G08U0D