时间：2025/5/15 15:47:47
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K9K8G08U0D-SIB0 是三星（Samsung）生产的一款NAND Flash存储芯片，采用MLC（Multi-Level Cell）技术。该芯片具有高容量、高速度和低功耗的特点，适用于需要大容量数据存储的应用场景。其封装形式为BGA（球栅阵列封装），能够提供出色的电气性能和可靠性。
这款芯片广泛应用于消费类电子产品、嵌入式系统、固态硬盘（SSD）等领域，满足现代设备对高效数据存储的需求。
存储容量：8GB
存储类型：NAND Flash
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：最高400MB/s
擦写寿命：3000次（典型值）
工作温度范围：-25°C至85°C
K9K8G08U0D-SIB0 使用了先进的MLC NAND Flash技术，每个存储单元可以存储2位数据，从而实现更高的存储密度。它支持Toggle Mode 2.0接口，提供更快的数据传输速度，适合高性能存储应用。
该芯片具备较低的工作电压，有助于减少功耗，延长设备的电池续航时间。同时，它还具有较强的可靠性和耐用性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
此外，BGA封装形式使得芯片在信号完整性、热管理和安装密度方面表现出色，非常适合现代电子设备的小型化和高性能需求。
K9K8G08U0D-SIB0 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：
作为主要存储介质，提供大容量和快速的数据存取能力。
2. 嵌入式系统：
用于工业控制、医疗设备等需要可靠数据存储的场合。
3. 消费类电子产品：
如智能手机、平板电脑、数码相机等，满足多媒体文件存储需求。
4. 网络通信设备：
如路由器、交换机等，提供固件和数据存储功能。
K9KCG08U1E-SCK0
K9K8G08U1M-SCK0
K9K8G08U0D-SIY0
