时间：2025/5/22 10:54:14
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K9K8G08U0B-PIB0 是三星（Samsung）生产的一款基于 NAND 技术的闪存芯片，主要应用于数据存储领域。该芯片具有高容量、高速度和低功耗的特点，广泛用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备和其他需要大容量非易失性存储的应用中。
该系列芯片采用先进的工艺制程，提供卓越的性能和可靠性，适用于消费电子、工业设备以及企业级存储解决方案。
存储容量：64Gb (8GB)
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
I/O 引脚数：80
数据传输速率：最高可达 400MT/s
擦写寿命：约 3000 次（视具体使用情况而定）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
K9K8G08U0B-PIB0 芯片采用多层单元（MLC）技术，具备以下显著特点：
1. 高密度存储：单颗芯片即可提供 8GB 的存储容量，适合需要高密度存储的应用场景。
2. 快速读写性能：支持 Toggle DDR 2.0 接口协议，能够实现高达 400MT/s 的数据传输速率，显著提升系统性能。
3. 低功耗设计：采用先进的低功耗架构，有效降低整体能耗，延长电池驱动设备的续航时间。
4. 可靠性保障：经过严格的质量控制流程，确保在各种环境下的稳定运行，同时具备较长的擦写寿命。
5. 广泛的工作温度范围：能够在 -25°C 至 +85°C 的环境下正常工作，满足不同应用场景的需求。
K9K8G08U0B-PIB0 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为核心存储组件，为 SSD 提供大容量和高性能的存储能力。
2. 嵌入式系统：用于工业控制、汽车电子等对存储性能和可靠性要求较高的嵌入式设备。
3. 移动设备：包括智能手机、平板电脑等便携式电子设备中的存储扩展。
4. 数字消费类电子产品：如数码相机、摄像机等需要快速存储大量数据的设备。
5. 数据中心和企业级存储：适用于构建高效、可靠的企业级存储解决方案。
K9K8G08U1M-PIB0
K9K8G08U0D-PIB0
K9K8G08U1A-PIB0
