容量：256MB
　　存储器类型：NAND Flash
　　工艺技术：56nm
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：56
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　接口类型：并行
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

K9K2G08U0M-VCB0 是一款高性能的NAND Flash存储器芯片，具备多种优良特性。其主要特点包括高存储密度、低功耗设计、快速读写速度以及高可靠性。芯片支持页编程和块擦除操作，适合用于存储大量数据的应用场景。
　　该芯片采用56nm先进制程工艺，使其在性能和功耗之间取得了良好的平衡。此外，K9K2G08U0M-VCB0 的TSOP封装形式使其易于集成到各种电路板中，并且具有较好的散热性能。在工作温度方面，该芯片支持-40°C至+85°C的宽温范围，适用于工业级环境。
　　数据保持时间长达10年，支持10万次擦写周期，确保了长期使用的稳定性。此外，该芯片还支持ECC（错误校正码）功能，能够自动检测和纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。对于需要大量数据存储且对可靠性要求较高的应用，如嵌入式系统、工业控制设备、智能卡、手持设备等，K9K2G08U0M-VCB0 是一个理想的选择。

K9K2G08U0M-VCB0 主要用于需要大容量非易失性存储的应用场景。其典型应用包括嵌入式系统的程序存储和数据存储、工业控制设备中的固件存储、消费类电子产品如MP3播放器、数码相机、电子书阅读器等的数据存储。此外，该芯片也可用于车载电子设备、医疗设备和智能卡终端等对数据存储稳定性要求较高的领域。由于其低功耗和高可靠性，K9K2G08U0M-VCB0 也非常适合电池供电设备使用。

K9F2G08U0D-PCB0, K9F2G08U0M-PCB0, H27U1G8F2BPT0C, HY27US08281A