时间：2025/12/23 22:15:30
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K9HCG08U1M-PCBO是三星（Samsung）生产的一款NAND Flash存储芯片，采用MLC（多层单元）技术。该芯片主要应用于需要大容量数据存储的场景，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、内存卡等。其设计注重高可靠性、低功耗和高性能，能够满足消费级和工业级存储需求。
该芯片支持标准的ONFI（Open NAND Flash Interface）接口协议，便于与各种主控芯片进行通信。此外，它还具有较强的纠错能力（ECC），以确保数据在长时间存储后的完整性。
容量：8GB
存储类型：MLC NAND Flash
接口：ONFI 2.3
电压：1.8V/3.3V
封装：BGA 169-ball
工作温度：-40°C ~ +85°C
页大小：8KB
块大小：512KB
传输模式：Async
I/O接口：8-bit
K9HCG08U1M-PCBO是一款高效的存储芯片，具有以下显著特性：
1. 高存储密度：单颗芯片即可提供8GB的存储容量，适合需要大容量存储的应用场景。
2. 快速读写速度：通过优化的内部架构设计，提供了较高的数据吞吐量，从而提升了整体系统性能。
3. ECC纠错功能：内置强大的纠错机制，可有效检测并纠正数据传输中的错误，提高数据可靠性。
4. 节能设计：采用了先进的制程工艺，在保证性能的同时降低了功耗，非常适合便携式设备使用。
5. 广泛的工作温度范围：支持从-40°C到+85°C的工作温度区间，适应多种环境条件下的应用需求。
6. 小型化封装：使用BGA 169-ball封装形式，节省了PCB空间，便于设计更紧凑的产品。
K9HCG08U1M-PCBO广泛应用于各类需要高效数据存储的电子设备中，包括但不限于：
1. 固态硬盘（SSD）
2. USB闪存盘
3. 存储卡（如microSD、SD卡）
4. 工业控制设备
5. 嵌入式系统
6. 网络存储设备
7. 消费类电子产品（如平板电脑、智能电视等）
由于其出色的性能和可靠性，该芯片成为了许多存储解决方案中的关键组件。
K9HCG08U1M-BCK0, K9HCG08U1M-TCK0
