类型：NAND Flash
　　容量：2Gb (256MB)
　　工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)
　　封装形式：48-pin TSOP I
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C (商业级)
　　存储温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　编程时间：200μs（典型值）
　　块擦除时间：1.5ms（典型值）
　　读取访问时间：25μs（典型值）
　　I/O接口：8位并行
　　页面大小：2048字节 + 64字节（备用区）
　　块大小：64页/块 → 每块128KB
　　总块数：2048块
　　耐久性：10,000次编程/擦除周期
　　待机电流：< 1mA
　　编程电流：~10mA（典型）
　　制造商：Samsung
　　型号：K9G2G08U0M-PCB0

K9G2G08U0M-PCB0具备多项关键技术特性，使其在同类NAND闪存产品中表现优异。首先，该芯片采用MLC（多级单元）技术，在每个存储单元中存储两位数据，显著提高了存储密度，降低了单位比特成本，同时保持了合理的性能水平。尽管MLC相比SLC在耐久性和数据保持能力上略有下降，但通过先进的内部管理机制和外部控制器的协同优化，仍能胜任大多数消费类和工业应用场景。
　　其次，该器件支持页级编程（Page Program）和块级擦除（Block Erase），其中每页包含2048字节主数据区和64字节备用区域，可用于存放ECC校验码、坏块标记或文件系统元数据。这种结构设计使得系统能够高效地进行数据更新与错误检测，提升整体可靠性。内置的智能命令集允许执行复位、读取ID、读状态、编程、擦除等操作，便于主机处理器或专用控制器对其进行精确控制。
　　再者，K9G2G08U0M-PCB0具有低功耗特性，支持多种省电模式，包括待机模式和深度断电模式，有助于延长便携式设备的电池寿命。其电气接口兼容JEDEC标准，信号电平为LVTTL，易于与各种微控制器、SoC或FPGA连接。此外，该芯片在制造过程中遵循绿色环保标准，不含铅（Pb-free）和有害物质，符合RoHS指令要求。
　　最后，该器件具备较强的抗干扰能力和稳定性，在频繁读写环境下仍能维持较长时间的正常运行。出厂时已标记初始坏块，并提供详细的坏块映射信息，方便系统初始化时识别并规避不可靠区域。结合外部控制器实现的ECC纠错、磨损均衡和逻辑地址映射功能，可大幅提高系统的长期可用性和数据安全性。

K9G2G08U0M-PCB0因其适中的容量、稳定的性能和成熟的工艺，被广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，常用于数码相机、MP3播放器、电子书阅读器和便携式导航设备中作为固件存储或用户数据存储介质。由于其具备较高的集成度和较小的封装尺寸，非常适合空间受限的移动设备设计。
　　在通信设备中，该芯片可用于存储路由器、调制解调器或网络交换机的启动代码（Boot Code）、配置文件及日志信息。其快速读取能力和可靠的非易失性特性确保设备在断电后仍能保留关键数据，并在下次上电时迅速恢复运行。
　　工业控制领域也是其重要应用方向之一，例如PLC控制器、HMI人机界面、数据采集终端等设备利用该NAND Flash存储程序代码、历史记录或实时采集的数据流。配合嵌入式Linux或其他实时操作系统，可构建稳定可靠的本地存储子系统。
　　此外，在汽车电子系统中，如车载娱乐系统、行车记录仪或远程信息处理单元（Telematics），该芯片可用于存储地图数据、音频文件或事件记录。虽然其工作温度范围为商业级（0°C ~ +70°C），但在良好散热设计下也可用于部分车载环境。
　　最后，该器件还常见于各种嵌入式开发板和模块化系统中，作为引导存储器或扩展存储使用，支持U-Boot、YAFFS/YAFFS2等嵌入式文件系统，便于开发者进行系统调试与部署。

MT29F2G08ABAEAWP-IT: Micron Technology生产的兼容型NAND Flash，2Gb容量，8-bit接口，TSOP封装，MLC技术，支持类似电气和时序特性，常用于替代三星同类型产品。
　　KTNAG2G08U0M: Kingston Technology的OEM版本，基于相同架构设计，参数高度一致，适用于原厂停产或供货紧张情况下的替换选择。
　　TC58NVG2S0F: Toshiba（现Kioxia）推出的2Gb MLC NAND Flash，采用小型化封装，具备相似容量和组织结构，可通过调整时序和驱动程序实现软兼容。
　　W29N02GV: Winbond（华邦电子）的2Gb NAND Flash产品线成员，支持标准命令集，具备良好互换性，适合对成本敏感的设计方案。