类型：NAND Flash
　　密度：8 Gbit (1 GB)
　　工艺技术：SLC (Single-Level Cell)
　　封装形式：TSOP-1 (48-pin)
　　工作电压：Vcc = 2.7V ~ 3.6V, VccQ = 2.7V ~ 3.6V
　　读取电压范围：支持宽电压读写操作
　　页面大小：512字节数据区 + 16字节冗余区（Spare Area）
　　块大小：32页/块，每页512+16字节，块总大小约为18 KiB
　　总块数：512块
　　地址结构：分页式地址输入，需多周期发送命令、地址与数据
　　寻址方式：命令-地址-数据流模式，支持CE#、CLE、ALE、RE#、WE#等控制信号
　　编程时间：典型值约200μs/页
　　擦除时间：典型值约1.5ms/块
　　待机电流：<1μA（典型）
　　读取电流：<4mA（典型）
　　编程电流：<20mA（典型）
　　数据保持时间：10年（在40°C环境下）
　　擦写寿命：100,000次 P/E cycles（Program/Erase Cycles）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

K9F8G08UOD-SIBO采用了成熟的SLC NAND技术，在性能和可靠性之间实现了良好的平衡。其核心特性之一是卓越的耐久性，可支持高达10万次的编程/擦除循环（P/E cycles），远高于主流MLC或多层单元NAND器件，这使得它特别适用于频繁写入的应用场合，如工业自动化控制系统中的日志记录、配置更新或实时数据缓存。此外，由于每个存储单元仅存储一位数据，SLC结构显著降低了读写错误率，提高了整体数据完整性。
　　该芯片内置高效的页式架构，每页包含512字节主数据区和16字节备用区域，后者常用于存放ECC校验码、坏块标记或其他元数据信息。这种划分方式便于主机控制器实施软件层面的FTL（Flash Translation Layer）管理和纠错机制。同时，其块大小适中（32页/块），既保证了较快的擦除速度，又避免了过度的空间浪费，尤其适合小文件系统或Bootloader存储需求。
　　电气特性方面，K9F8G08UOD-SIBO支持宽电压工作范围（2.7V~3.6V），增强了电源适应能力，适用于电池供电或电压波动较大的环境。低功耗设计使其在待机状态下电流消耗低于1微安，有助于延长移动设备的续航时间。所有操作均通过标准NAND接口时序完成，包括片选（CE#）、命令锁存使能（CLE）、地址锁存使能（ALE）以及读写使能信号，确保与多种主控平台兼容。
　　为了提升系统鲁棒性，该器件集成了内部状态检测机制，可通过读取状态寄存器判断当前操作是否完成或是否存在错误条件（如编程失败、擦除失败等）。另外，制造商出厂时已标记所有初始坏块，用户可在初始化阶段跳过这些区域以保障后续使用的可靠性。TSOP-48封装形式提供了稳定的机械连接和良好的散热性能，适合回流焊工艺，广泛应用于工业级PCB组装流程。

K9F8G08UOD-SIBO因其高可靠性、长寿命和稳定性能，被广泛应用于对数据安全性和持久性有较高要求的领域。典型应用场景包括工业控制设备中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程IO模块，这些系统通常需要长时间运行且不允许因存储故障导致停机。在医疗电子设备中，如便携式监护仪、超声成像前端或诊断仪器，该芯片可用于保存设备校准参数、操作日志或启动引导程序，确保关键数据不丢失。
　　在网络通信基础设施中，路由器、交换机和光模块的BOOT CODE或配置文件常采用此类NAND Flash进行存储，K9F8G08UOD-SIBO凭借其快速读取能力和抗干扰特性，能够有效支持设备快速启动和长期稳定运行。此外，在汽车电子领域，尽管更大容量的新型Flash更常见，但该型号仍可能用于车身控制模块（BCM）、车窗控制单元或传感器节点中，特别是在成本敏感且不需要大容量存储的子系统中。
　　消费类电子产品中，虽然MLC或TLC NAND更为普遍，但在某些注重耐用性的特殊设备中，如军工手持终端、野外勘测仪器或智能电表，K9F8G08UOD-SIBO依然具备竞争力。其支持宽温工作范围（-40°C至+85°C）的特点，使其能够在极端气候条件下正常运行，满足工业级甚至部分军用标准的要求。此外，由于其接口简单、驱动开发成熟，许多基于ARM7、Cortex-M系列MCU或FPGA的嵌入式项目也选择该芯片作为非易失性存储解决方案，配合外部控制器实现轻量级文件系统（如LittleFS、SPIFFS或自定义扇区管理）。

K9F8G08U0D-SIBO
　　K9F1G08U0D-SCBO
　　MT29F1G08ABAEA-LTD:B
　　W29N08GV