型号：K9F6408U0C-VIBO
　　制造商：Samsung
　　类型：NAND Flash
　　容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：512字节/页 × 32页/块 × 512块
　　电压范围：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：48-pin TSOP I
　　接口类型：并行 NAND
　　寻址方式：复用I/O（地址/数据/命令共用）
　　编程时间（典型）：200μs/页
　　块擦除时间（典型）：2ms/块
　　待机电流：1μA（最大）
　　读取电流：4mA（典型）
　　编程电流：15mA（典型）

K9F6408U0C-VIBO 具备多项关键技术特性，使其在嵌入式存储领域中具有较强的竞争力。首先，该芯片采用NAND架构设计，相较于NOR Flash，在相同容量下具有更高的存储密度和更低的成本，适合大容量数据存储需求。其每页大小为512字节，配合16字节的备用区域，可用于存储ECC纠错码、坏块标记或其他元数据，提升系统的数据完整性与可靠性。整个芯片被划分为512个可独立擦除的块，每个块包含32页，这种结构有利于实现高效的磨损均衡算法和坏块管理机制。
　　其次，该器件支持低电压操作，供电范围为2.7V至3.6V，兼容大多数3.3V系统电源设计，同时具备低功耗特性，在待机模式下的电流消耗极低（最大1μA），非常适合电池供电或对能耗敏感的应用环境。其内置的自动编程和自动擦除功能减少了主控处理器的负担，提高了系统整体效率。所有编程和擦除操作均由片内高电压发生器完成，无需外部提供高压信号，简化了硬件设计。
　　再者，K9F6408U0C-VIBO 提供良好的耐久性和数据保持能力，典型情况下可支持10万次的编程/擦除周期，数据可保存长达10年。这使得它适用于长期运行且频繁更新数据的设备，如工业控制器、POS终端、网络设备等。此外，该芯片具备较强的抗干扰能力和温度适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，满足严苛环境下的使用要求。其TSOP I封装便于PCB布局和自动化贴装，有助于提高生产良率和降低制造成本。

K9F6408U0C-VIBO 广泛应用于多种需要非易失性存储的电子系统中。常见用途包括嵌入式微控制器系统中的固件存储，例如在家电控制板、智能电表、工业PLC中作为程序或配置数据的存储介质。由于其成本较低且容量适中，也被用于早期的便携式多媒体播放器、数码相框、语音记录仪等消费类电子产品中，用于保存音频、图像或用户文件。在网络通信设备中，如路由器、交换机或调制解调器，该芯片可用于存储启动代码（Boot Code）或日志信息。
　　此外，该器件也适用于需要现场升级固件（FOTA）的场合，因其支持按块擦除和页编程，便于实现增量更新和回滚机制。在汽车电子领域，尽管高端车型已转向更高密度的存储方案，但在一些辅助模块如车载信息显示终端或后装导航设备中仍可能采用此类NAND Flash。医疗设备中的一些便携式监测仪器也会利用其低功耗和高可靠性的特点来保存患者数据或设备校准参数。总体而言，虽然随着技术进步，更大容量、更高速度的新型NAND器件不断涌现，但K9F6408U0C-VIBO 凭借其成熟的设计和稳定的供货历史，仍在部分老旧系统维护和低成本设计方案中占有一席之地。

K9F6408U0D-TIBO
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