型号：K9F5608UOD-P
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：256Mb (32MB)
　　组织结构：528字节/页，4224页/块，1024块
　　数据区大小：512字节/页
　　备用区大小：16字节/页
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　I/O电压：3.3V 兼容
　　封装形式：TSOP-48
　　引脚间距：0.5mm
　　接口类型：NAND 接口（地址/数据复用）
　　编程时间：典型值200μs/页
　　擦除时间：典型值2ms/块
　　读取访问时间：典型值25ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　待机电流：≤ 1mA
　　编程/擦除电流：≤ 20mA

K9F5608UOD-P具备多项关键特性，使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先，其NAND Flash架构设计优化了存储密度与成本之间的平衡，相较于NOR Flash，在相同面积下可提供更大的存储容量，特别适合需要存储大量代码或数据的应用场景。该芯片采用页为单位的编程机制，支持按页（512+16字节）写入，且编程操作可在较短时间内完成（典型值200μs/页），提高了写入效率。同时，它以块为单位进行擦除，每个块包含4224页，擦除周期典型值为2ms，远快于传统EEPROM或其他老式非易失性存储器。这种结构设计使得K9F5608UOD-P非常适合频繁更新数据的日志记录、文件系统存储等用途。
　　其次，该芯片支持外部控制器通过简单的命令序列实现读、写、擦除及状态查询操作。所有命令、地址和数据均通过8位I/O引脚分时复用传输，显著减少了封装引脚数，有利于小型化设计。其TSOP-48封装形式便于表面贴装，适用于自动化生产流程。此外，K9F5608UOD-P内置硬件ECC（错误校验与纠正）支持能力有限，通常需由主控器配合软件算法实现更强的纠错功能，以应对NAND Flash常见的位翻转问题，从而保障数据可靠性。
　　再者，该器件具备良好的环境适应性，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，满足工业级应用需求。其低功耗特性也使其适用于电池供电设备，例如便携式音频播放器或数据采集终端。虽然该型号不支持ONFI或Toggle Mode等现代高速接口标准，但在当时的技术背景下，其25ns的读取访问速度已能满足多数MCU系统的性能要求。值得一提的是，K9F5608UOD-P出厂时可能存在初始坏块，因此系统设计必须具备坏块标记识别与映射管理机制，以确保可靠运行。

K9F5608UOD-P因其高容量、低成本和可靠的非易失性存储特性，被广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，它是早期MP3播放器、电子词典和便携式多媒体设备中的主要存储介质，用于存放音频文件、操作系统固件及用户数据。在数码相机和摄像机中，该芯片可用于存储图像文件和配置信息，尤其是在CF卡或SD卡尚未普及或成本较高的年代，直接集成K9F5608UOD-P成为一种常见方案。此外，在工业控制系统中，该器件常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备或数据记录仪的程序与数据存储单元，支持断电后数据长期保存。
　　在通信设备领域，K9F5608UOD-P可用于路由器、交换机或网络终端设备中存储启动代码（Boot Code）、固件镜像或日志信息。由于其具备一定的耐用性和擦写寿命（通常标称为10万次编程/擦除周期），适合用于需要频繁更新配置或记录运行状态的场景。在医疗电子设备中，如便携式监护仪或诊断仪器，该芯片可用于存储患者数据、设备校准参数和操作日志，确保关键信息不会因断电而丢失。
　　此外，该芯片也被用于汽车电子系统中，例如车载导航设备或行车记录仪的本地存储模块。尽管当前新型车规级eMMC或SPI NAND已逐步替代此类并行NAND器件，但在一些旧款车型或后装市场产品中仍可见其身影。教育类电子产品如学习机、点读笔等也曾大量采用该型号进行内容存储。总体而言，K9F5608UOD-P适用于对成本敏感、不需要极高读写速度但要求一定存储容量和稳定性的嵌入式应用场景。

K9F2808UOC-PIB0
　　K9F2G08U0M
　　MT29F2G01AAABAWP