K9F5608UOB-YCBO 是三星公司推出的一款 NAND 闪存芯片,属于早期的 NAND Flash 系列产品。该芯片主要应用于数据存储领域,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、内存卡等设备中。它采用 3.3V 供电设计,支持标准的 NAND 接口协议,具备高可靠性和快速的数据读写能力。
该型号的 NAND Flash 芯片容量为 64Mb(8MB),使用了 MLC(多层单元)技术,能够在每个存储单元中保存多位数据,从而提高了存储密度和成本效益。
容量:64Mb (8MB)
存储类型:NAND Flash
接口类型:标准 NAND 接口
工作电压:3.3V
封装形式:TSOP-48
数据位宽:8位
页大小:256字节
块大小:16KB
擦除周期:100,000 次
K9F5608UOB-YCBO 具备以下显著特性:
1. 高可靠性:采用了成熟的 NAND 技术,确保数据存储的安全性和稳定性。
2. 快速读写性能:支持高速数据传输,能够满足多种应用场景的需求。
3. 小型化设计:TSOP-48 封装使其具有较小的体积,便于集成到各种便携式电子设备中。
4. 多次擦写能力:可承受高达 100,000 次的擦写周期,延长了芯片的使用寿命。
5. 数据保留时间长:即使在断电情况下,也能长时间保存数据,适合长期存储应用。
K9F5608UOB-YCBO 广泛应用于以下领域:
1. 存储设备:如 USB 闪存盘、SD 卡、CF 卡等。
2. 嵌入式系统:用于工业控制、医疗设备、通信设备等领域的数据存储。
3. 固态硬盘(SSD):作为 SSD 的核心存储组件之一。
4. 消费类电子产品:如数码相机、MP3 播放器等需要小型存储介质的设备。
5. 数据记录:适用于各类数据记录仪和日志记录设备。
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