K9F5608U0C 是三星(Samsung)公司生产的一款 NAND 闪存芯片,采用 3.3V 供电设计。该芯片具有高密度存储能力,适用于各种需要大容量数据存储的应用场景,如消费电子设备、嵌入式系统和工业控制等领域。
这款芯片的推出满足了市场对低成本、高性能存储解决方案的需求,其可靠性和稳定性使其成为早期 NAND 闪存市场的主流产品之一。
存储容量:64Mb(8MB)
接口类型:NAND Flash
工作电压:3.3V
封装形式:TSOP-48
页大小:512 Bytes
块大小:16KB
数据保留时间:10年
擦写寿命:100,000 次
工作温度:-25°C 至 +85°C
K9F5608U0C 提供了高效的存储解决方案,支持快速的数据读写操作,并且具备以下特点:
1. 高密度集成技术,能够在小尺寸封装中实现较大的存储容量。
2. 支持随机访问和顺序访问模式,优化了数据传输效率。
3. 内置 ECC(Error Correction Code)功能,提高了数据的可靠性。
4. 低功耗设计,特别适合电池供电的便携式设备。
5. 良好的兼容性,可以与多种主控芯片配合使用。
6. 广泛的工作温度范围,适应不同的环境条件。
K9F5608U0C 主要应用于以下领域:
1. 数码相机和摄像机中的图像存储。
2. MP3 播放器和其他便携式多媒体设备的数据存储。
3. USB 闪存盘和固态硬盘(SSD)的存储介质。
4. 嵌入式系统的程序和数据存储。
5. 工业控制设备中的日志记录和配置信息保存。
6. 移动通信设备中的用户数据存储。
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