型号：K9F5608U0C-PIBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：512 Mbit
　　组织结构：64M x 8-bit
　　工艺技术：CMOS
　　封装形式：TSOP-48
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　读取访问时间：最大30ns
　　编程时间：典型值200μs/页
　　擦除时间：典型值2ms/块
　　待机电流：最大2μA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行接口
　　页大小：528字节（512字节数据 + 16字节备用区）
　　块大小：32页
　　总块数：2048块

K9F5608U0C-PIBO 具备多项关键特性，使其在多种应用场景下表现出色。首先，该芯片采用高效的NAND Flash架构，提供了较高的存储密度与较快的数据存取速度，适合需要大容量非易失性存储的应用场合。其每页528字节的结构设计中，包含512字节主数据区和16字节备用空间，可用于存储ECC校验码、坏块标记或其他元数据，从而提升系统的数据完整性和可靠性。
　　其次，该器件支持按页编程（program）和按块擦除（erase）的操作模式，其中每页编程时间典型值为200微秒，每个块的擦除时间约为2毫秒，响应迅速且功耗较低。此外，整个芯片被划分为2048个可独立擦除的块，有助于实现磨损均衡算法，延长整体使用寿命。
　　再者，K9F5608U0C-PIBO 工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容低电压供电系统，适用于电池供电设备。其CMOS制造工艺不仅降低了静态功耗，在待机状态下的电流消耗可低至2μA，进一步优化了能效表现。同时，该芯片具备良好的环境适应性，可在-40°C到+85°C的宽温范围内稳定运行，满足工业级应用需求。
　　封装方面，该芯片采用标准的48引脚TSOP封装，便于自动化贴片和焊接，有利于大批量生产和维护。内置的地址与数据复用总线减少了引脚数量，提高了PCB布局的灵活性。尽管该型号已逐步被更高密度或更先进制程的产品替代，但其成熟的技术方案和稳定的供货记录仍使其在特定领域保有市场价值。

K9F5608U0C-PIBO 广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中。由于其具备可靠的非易失性存储能力和适中的容量，常用于固件存储、日志记录、配置参数保存等场景。典型应用包括数字电视、机顶盒、网络路由器、打印机控制器、工业PLC、车载信息终端以及各类手持式仪器仪表。
　　在消费类电子产品中，该芯片可用于存储操作系统映像或用户设置数据，例如在早期的MP3播放器、数码相框和电子书阅读器中均有部署。在通信设备中，它承担协议栈代码和运行日志的持久化任务，确保断电后信息不丢失。
　　此外，因其支持ECC纠错功能并通过备用区实现坏块管理，适用于对数据完整性要求较高的工业控制系统。配合微控制器或专用NAND控制器，能够构建出稳定耐用的本地存储子系统。虽然随着技术进步，更大容量、更高性能的新型NAND器件不断涌现，但在成本敏感型项目或原有设计延续性要求较高的场合，K9F5608U0C-PIBO 依然是一种实用的选择。

MT29F512G0FAAEC-IT:B
　　K9F5608U0D-PCB0
　　HY27US08561A