型号：K9F5608QOC-DIBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：512Mb (64MB)
　　组织结构：32,768 块 × 32 页/块 × 528 字节/页
　　用户数据区：512 字节/页
　　备用区：16 字节/页
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V（典型值3.3V）
　　接口类型：并行 NAND 接口（8位 I/O）
　　封装形式：TSOP-1 (48-pin)
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程时间：典型200μs/页
　　擦除时间：典型2ms/块
　　读取访问时间：典型25ns
　　耐久性：10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10年（在40°C下）

K9F5608QOC-DIBO 具备典型的NAND闪存特性，适用于大容量数据存储需求。其内部存储阵列采用浮栅晶体管技术，能够实现非易失性数据保存，即使在断电情况下也能长期维持信息。芯片支持页为单位的编程操作（最小写入单元为一页，512字节），以及以块为单位的擦除操作（每个块包含32页，共16KB），这种结构提高了存储效率并降低了成本。为了确保数据完整性，该芯片在每页的16字节备用区域中可存储ECC（错误校正码）信息，配合外部控制器实现单比特纠错或多比特检测功能，从而增强系统的可靠性。此外，该器件支持随机读取模式，允许用户从任意列地址开始读取数据，提升了访问灵活性。
　　该芯片采用标准的NAND命令集，通过CLE（命令锁存使能）、ALE（地址锁存使能）、CE#（片选）、WE#（写使能）和RE#（读使能）等控制信号完成操作时序控制。所有输入输出通过8位双向I/O总线进行复用，有效减少了引脚数量，有利于缩小PCB布局空间。其TSOP-48封装具有良好的电气性能和散热能力，适用于工业化批量生产环境。K9F5608QOC-DIBO 还具备坏块管理机制，在出厂时已标记不可用的块，用户可通过读取特定地址获取坏块信息，并在系统层面规避使用这些区域，从而提高整体使用寿命和系统稳定性。
　　在功耗方面，该芯片支持待机模式和低功耗编程/读取操作，适合对能耗敏感的应用场景。虽然其接口速度相较于现代ONFI或Toggle Mode NAND较慢，但在许多传统嵌入式系统中仍能满足性能要求。由于该型号属于较早一代产品，目前可能面临供货紧张或停产的风险，因此在新产品设计中建议考虑升级至更高密度、更先进制程的替代方案。不过，对于维护现有设备或兼容旧平台而言，K9F5608QOC-DIBO 仍然是一个可靠的选择。

K9F5608QOC-DIBO 广泛应用于多种需要中等容量非易失性存储的嵌入式系统和消费类电子产品中。典型应用场景包括工业控制设备中的程序存储与数据记录，例如PLC控制器、HMI人机界面和自动化仪表，利用其高耐用性和长期数据保持能力确保系统稳定运行。在便携式设备领域，该芯片曾用于早期的MP3播放器、数码相框和电子书阅读器中，作为固件或媒体文件的存储介质。此外，它也被集成于各类存储卡模块中，如CF卡（CompactFlash）或IDE接口固态硬盘的底层存储单元，配合桥接控制器实现标准化接口输出。在通信设备中，如路由器、交换机和网络摄像头，K9F5608QOC-DIBO 可用于存放启动代码（Bootloader）、配置参数或日志信息。车载电子系统也曾采用此类NAND闪存，用于行车记录仪或车载导航系统的数据缓存与固件存储。由于其工作温度范围宽，可在-40°C至+85°C环境下正常工作，因此也适用于户外或恶劣环境下的设备部署。尽管当前主流市场已转向更大容量、更高性能的闪存解决方案，但K9F5608QOC-DIBO 仍在设备维修、备件替换及老旧系统维护中发挥重要作用。

K9F5608U0C-DIBO
　　K9F5608U0D-TIBO
　　MT29F512G0FAA-B
　　W29N04GV