时间：2025/7/16 12:56:28
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K9F5608Q0C-DIB0 是一款由三星（Samsung）制造的 NAND 闪存芯片。该芯片采用 3.3V 电源电压设计，主要用于数据存储应用，如移动设备、数码相机和 USB 驱动器等。它具有高可靠性和快速读写速度的特点，支持多级单元（MLC）技术以实现更高的存储密度。
这款芯片是早期 NAND 闪存系列的一部分，属于 512Mb（64MB）容量级别，使用 32 位 I/O 接口进行数据传输。
容量：512Mb (64MB)
接口类型：32-bit I/O
工作电压：3.3V
封装形式：TSOP
数据传输速率：最高可达 266MB/s
擦写寿命：约 10,000 次擦写周期
工作温度范围：0°C 至 70°C
存储温度范围：-40°C 至 85°C
K9F5608Q0C-DIB0 提供了高效的 NAND 闪存解决方案，其主要特点包括：
1. 高存储密度：通过 MLC 技术实现了更大的存储容量，同时保持较低的成本。
2. 快速数据传输：支持高速接口，确保数据能够快速读取和写入。
3. 可靠性强：即使在多次擦写操作后仍能保持较高的数据完整性。
4. 小型化封装：采用 TSOP 封装，适合对空间有严格要求的应用场景。
5. 广泛的工作温度范围：适用于多种环境条件下的电子设备。
该芯片广泛应用于各种需要高效数据存储的领域，例如：
1. 移动设备：如智能手机、平板电脑等的内部存储。
2. 数码相机：用于存储照片和视频文件。
3. USB 存储设备：如 U 盘和外部硬盘。
4. 嵌入式系统：为工业控制、医疗设备和其他嵌入式应用提供可靠的存储解决方案。
5. 固态硬盘（SSD）：作为 SSD 的核心组件之一，提升整体性能。
K9F5608U0M-DIB0
K9F5608Q0A-DIB0
K9F5608R0B-DIB0
