时间：2025/11/13 19:15:43
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K9F4G08UOM-YCBO是三星（Samsung）公司生产的一款NAND Flash存储器，广泛应用于需要大容量、高可靠性和低成本数据存储的电子设备中。该芯片采用TOSA（Thin Small Outline Package）封装，具有4Gb（512MB）的存储容量，组织方式为4096块，每块包含64页，每页大小为2112字节（其中2048字节为数据区，64字节为备用区），支持标准的8位I/O接口和命令集操作。该器件工作电压为3.3V，适用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、数码相机、智能手机以及其他便携式消费类电子产品中的非易失性数据存储需求。K9F4G08UOM-YCBO具备良好的耐用性和数据保持能力，典型擦写寿命可达10万次以上，数据保存时间超过10年。其内部结构基于浮栅晶体管技术，通过电荷存储实现信息的非易失性保存，并支持坏块管理机制以提高系统的可靠性。该器件遵循JEDEC标准兼容协议，能够与多种主控芯片配合使用，如ARM处理器、DSP控制器或专用NAND控制器，便于系统集成与开发。此外，它还支持待机模式以降低功耗，在电池供电设备中表现出优异的能效特性。
型号：K9F4G08UOM-YCBO
制造商：Samsung
存储类型：NAND Flash
存储容量：4Gb (512MB)
组织结构：4096 blocks × 64 pages/block × 2112 bytes/page
页面大小：2112 字节 (2048 + 64)
块大小：128KB (64 pages × 2048 bytes)
接口类型：8-bit I/O
工作电压：3.3V ± 10%
编程时间（典型）：200μs/page
擦除时间（典型）：2ms/block
读取延迟（典型）：25μs
待机电流：≤ 15μA
编程电流：≤ 20mA
擦除电流：≤ 20mA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSOP-48 (TOSA)
引脚间距：0.5mm
尺寸：12mm × 8mm × 1mm
K9F4G08UOM-YCBO的特性之一是其高效的存储架构设计，采用了多级单元（MLC）技术，在保证较高存储密度的同时有效控制了制造成本。该芯片内部由多个平面（Plane）组成，支持双平面操作，允许在两个独立的块之间交替进行编程和读取操作，从而显著提升了整体的数据吞吐率。例如，在一个平面执行编程操作时，另一个平面可以同时进行读取或准备下一次写入，这种并行处理机制使得连续数据传输速率大幅提升，非常适合需要频繁读写的应用场景。此外，该器件支持片内复制（Copy-Back）功能，可以在不经过外部控制器的情况下完成页间数据搬运，减少了主控负担并提高了系统效率。
该芯片内置智能错误检测与纠正机制（ECC支持建议），虽然本身不集成硬件ECC，但其设计兼容外部控制器提供的ECC算法（如BCH码），可在出厂时标记坏块，并在运行过程中动态识别和隔离损坏区块，确保数据完整性。每个页面的64字节备用区域可用于存放ECC校验码、逻辑地址映射表或其他元数据，增强了系统的可维护性与可靠性。此外，K9F4G08UOM-YCBO具备较强的抗干扰能力和稳定性，能够在宽温范围内稳定工作，满足工业级应用的需求。其低功耗管理模式包括自动待机和深度睡眠模式，有助于延长移动设备的电池续航时间。整体而言，这款NAND Flash以其成熟的工艺、可靠的性能和广泛的兼容性，成为许多嵌入式存储方案中的首选器件。
K9F4G08UOM-YCBO广泛应用于各类需要中等容量非易失性存储的电子系统中。在消费电子领域，它常见于早期的智能手机和平板电脑中作为系统存储或用户数据存储介质，也用于数码相机、MP3/MP4播放器以及电子书阅读器等设备，用于保存操作系统、应用程序和多媒体文件。在工业控制方面，该芯片被集成到PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和数据采集模块中，用于记录运行日志、配置参数和历史数据，其高耐用性和长期数据保持能力确保关键信息不会因断电而丢失。在网络通信设备中，如路由器、交换机和网络附加存储（NAS）设备，K9F4G08UOM-YCBO可用于启动代码（Boot Code）存储和固件更新缓存，支持快速启动和可靠升级。此外，它也被用于车载信息系统、导航仪和行车记录仪中，承担地图数据、视频录像和事件记录的存储任务。由于其标准接口和通用命令集，开发者可以方便地将其与各种微控制器或SoC平台对接，配合软件驱动实现文件系统（如YAFFS、JFFS2或FAT）管理。随着嵌入式Linux系统的普及，该芯片也成为许多开源开发板和工控主板的重要组成部分，适用于物联网网关、智能家电和远程监控终端等多种应用场景。
MT29F4G08ABAEA-LP:W
KMF4G0012M
HY27UF084G2A
