型号：K7R643684M-FI25
　　制造商：Samsung
　　器件类型：Mobile LPDDR2 SDRAM
　　容量：512Mb（64M x 8 / 32M x 16 / 16M x 32）
　　组织结构：4 Banks x 16M Words x 32 Bits
　　工作电压：1.8V ±0.15V
　　I/O电压：1.8V
　　最大时钟频率：200MHz（时钟速率100MHz）
　　数据速率：200 Mbps/pin（Double Data Rate）
　　访问时间：约7.5ns CL3
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90-pin
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 1.0mm
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh, Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)
　　数据总线宽度：32位（带可选ECC）
　　 burst length：固定为4或可编程
　　时钟模式：差分时钟输入（CK/CK#）
　　掉电模式：支持Deep Power Down Mode以进一步降低漏电流

K7R643684M-FI25具备多项先进的低功耗与高性能特性，使其成为移动计算和便携式设备中的理想选择。首先，该芯片采用了移动版LPDDR2架构，相较于标准DDR2 SDRAM，显著降低了动态和静态功耗。其核心电压与I/O电压均为1.8V，相比传统2.5V或3.3V的SDRAM器件，大幅减少了功耗，特别适合依赖电池供电的应用场景。芯片支持多种电源管理模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）以及温度补偿自刷新（TCSR）。TCSR功能能够根据芯片内部温度动态调整刷新周期，在高温环境下增加刷新频率以确保数据可靠性，而在低温下减少刷新次数从而节省电力，这一机制有效提升了能效比。
　　其次，K7R643684M-FI25集成了四个独立的存储阵列（Banks），允许交错访问不同Bank以提高连续读写效率，减少等待时间，提升整体带宽利用率。每个Bank可以独立激活、读取、写入或预充电，这种并行操作能力增强了内存控制器的调度灵活性，尤其在多任务处理和图形渲染等高吞吐量应用中表现优异。该器件支持双倍数据率（DDR）技术，即在时钟的上升沿和下降沿均传输数据，使有效数据速率翻倍，达到每引脚200Mbps的数据传输速度，满足当时主流处理器对内存带宽的需求。
　　再者，该芯片采用90球FBGA封装，尺寸紧凑（9mm × 13mm），非常适合空间受限的便携式设备主板布局。小封装不仅有利于缩小终端产品的体积，还通过缩短信号路径改善了高频下的信号完整性。此外，其差分时钟输入（CK/CK#）设计增强了抗噪声能力，提高了同步精度，确保在高速运行时仍能维持稳定的数据锁存。器件还支持突发长度可配置（BL=4或OTF），允许系统根据实际访问模式优化数据传输效率。对于需要更高可靠性的应用，该型号提供ECC支持选项，可在一定程度上检测和纠正单比特错误，提升系统稳定性。综合来看，K7R643684M-FI25在功耗控制、性能表现和物理集成方面均体现了三星在移动DRAM领域的技术积累。

K7R643684M-FI25主要面向对功耗、尺寸和性能有较高要求的移动与嵌入式电子设备。其典型应用领域包括智能手机和平板电脑，在这些设备中作为主内存使用，配合应用处理器完成操作系统运行、应用程序加载及多媒体数据缓存等功能。由于其低电压特性和多种节能模式的支持，该芯片能够在待机或轻负载状态下显著降低系统整体功耗，从而延长设备的电池续航时间。此外，它也被广泛用于便携式导航仪（PND）、智能手持终端、工业PDA以及车载信息娱乐系统等产品中，承担实时数据处理和图形界面显示所需的内存资源调度任务。
　　在通信设备方面，该芯片可用于无线路由器、VoIP电话、网络交换模块等需要一定数据缓冲能力的小型化网络设备中，尤其是在需要兼顾成本与性能的中低端市场具有竞争力。同时，因其具备较高的环境适应性（如宽温工作能力），也适用于部分工业控制设备和自动化仪器仪表中，作为嵌入式控制器的配套存储器。例如，在医疗监测设备、条码扫描器或POS终端中，K7R643684M-FI25可提供可靠的运行内存支持，保障系统长时间稳定运行。随着移动设备向更高集成度发展，虽然该型号已逐渐被更先进的LPDDR3/4/5所取代，但在维修替换、旧平台维护及特定定制项目中仍有实际应用价值。