时间：2025/11/13 16:04:50
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K7R321882M-FC20T00是一款由三星（Samsung）生产的高性能、低功耗的DDR2 SDRAM（双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器）芯片，采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，广泛应用于嵌入式系统、网络设备、工业控制以及消费类电子产品中。该芯片属于K7系列内存产品线，具备高密度存储能力与出色的信号完整性设计，适用于对带宽和稳定性要求较高的应用场景。其容量为1Gbit（即128MB），组织结构为32M x 4 banks x 8位数据宽度，工作电压为1.8V ±0.1V，符合JEDEC标准的DDR2接口规范。K7R321882M-FC20T00支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）、部分阵列自刷新（PASR）等多种节能模式，能够在保证性能的同时有效降低系统功耗，特别适合便携式设备或对能效敏感的设计。该器件的工作频率可达200MHz（等效于400Mbps数据速率），对应时钟周期为5ns，CL（CAS延迟）典型值为4或5，具体取决于操作条件和配置。此外，它还集成了片上终端电阻（ODT, On-Die Termination），有助于提升信号质量并减少PCB布局中的外部匹配元件数量，从而简化电路设计并提高系统可靠性。
型号：K7R321882M-FC20T00
制造商：Samsung
类型：DDR2 SDRAM
容量：1Gbit (32M x 4 banks x 8-bit)
封装：FBGA, 60-ball
工作电压：1.8V ±0.1V
最大频率：200MHz (400Mbps DDR)
时钟周期：5ns
CAS延迟（CL）：4, 5可选
工作温度范围：0°C 至 95°C（商用级）
存储温度范围：-65°C 至 150°C
封装尺寸：8mm x 13mm x 1.0mm
I/O标准：SSTL_18
刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh, TCSR, PASR
功能特性：On-Die Termination (ODT), DLL, Write Leveling Support
K7R321882M-FC20T00具备多项先进的技术特性以满足现代电子系统对高速、低功耗和高可靠性的需求。首先，该芯片采用了DDR2架构的核心技术，通过在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据，实现双倍数据速率传输，显著提升了数据吞吐能力。其内部采用多bank结构设计（共4个bank），允许交错访问不同bank的数据，从而提高连续读写效率，减少等待时间。其次，该器件支持多种电源管理模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）、温度补偿自刷新（TCSR）和部分阵列自刷新（PASR）。这些功能可根据实际运行状态动态调整功耗，在待机或轻负载情况下大幅降低能耗，延长电池寿命，特别适用于移动终端和嵌入式设备。
另一个关键特性是集成的片上终端电阻（ODT），可在读写操作期间启用内部终端匹配，改善信号反射问题，增强信号完整性，尤其在高频工作状态下表现优异。这不仅提高了系统的稳定性，也减少了对外部电阻的需求，简化了PCB布线复杂度并节省空间。此外，该芯片内置延迟锁定环（DLL, Delay-Locked Loop），用于精确对齐内部时序与外部时钟，确保数据采样的准确性，特别是在高速运行下仍能保持良好的时序一致性。写入均衡支持（Write Leveling）功能则进一步优化了控制器与内存之间的时钟对齐，提升了整体系统的兼容性和性能表现。所有这些特性共同使K7R321882M-FC20T00成为一款适用于高性能嵌入式平台的理想选择。
K7R321882M-FC20T00广泛应用于需要中等容量、高速率和低功耗特性的电子系统中。常见应用领域包括网络通信设备如路由器、交换机和防火墙，其中对内存带宽和稳定性有较高要求；工业控制系统如PLC、HMI和自动化仪表，依赖其可靠的长期运行能力和宽温适应性；消费类电子产品如智能电视、机顶盒和多媒体播放器，利用其高效的多任务处理支持能力来提升用户体验；此外，在车载信息娱乐系统、医疗监测设备以及POS终端等嵌入式平台上也有广泛应用。由于其具备良好的信号完整性和节能特性，该芯片也非常适合用于便携式设备或对散热和功耗敏感的应用场景。在FPGA配套设计中，常被用作外部高速缓存或图像缓冲区，支持实时视频处理和数据流管理。总体而言，K7R321882M-FC20T00凭借其成熟的DDR2技术、稳定的性能表现和广泛的兼容性，成为许多中端嵌入式系统设计中的主流内存解决方案之一。
K4T1G084QC-BCF7
