制造商：Samsung
　　产品系列：GDDR5X
　　存储容量：8Gb (1GByte)
　　组织结构：2G x32
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.35V ± 0.05V, VPP = 2.5V
　　接口类型：差分时钟输入，伪开漏输出
　　最大数据速率：10 Gbps/pin
　　封装类型：16x16 mm FBGA，170-ball array
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C (结温)
　　刷新周期：64ms 或 32ms 可配置
　　预取架构：16n prefetch
　　数据宽度：x32 I/O
　　时钟频率：最大5 GHz (DDR)
　　掉电模式：支持自刷新与深度掉电模式
　　引脚兼容性：与同系列GDDR5X产品部分兼容

K7N801801801B-QC16作为三星GDDR5X系列的关键产品之一，具备多项先进技术特性，使其成为高性能图形处理领域的核心组件。
　　首先，该芯片采用了16n预取架构，结合双倍数据率（DDR）技术，在每个时钟周期内实现两次数据传输，显著提升了整体带宽效率。其最高可达10 Gbps的数据传输速率，使得单颗芯片即可提供高达40 GB/s的理论带宽（基于x32位宽），极大缓解了GPU在处理大规模纹理、光线追踪及AI推理任务时可能出现的内存瓶颈问题。
　　其次，为了确保高速信号完整性，K7N801801B-QC16引入了差分时钟输入机制和改进的I/O驱动电路设计，有效降低了电磁干扰（EMI）并增强了抗噪声能力。同时，其支持可编程驱动强度和片上终端（ODT）功能，允许系统根据PCB布线长度和拓扑结构进行阻抗匹配调整，从而优化信号质量，提高系统稳定性。
　　再者，该芯片在功耗管理方面表现出色。通过采用1.35V低核心电压（VDD/VDDQ）和独立的2.5V电压供应（VPP）用于内部字线升压，实现了性能与能效之间的平衡。此外，它支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-refresh）、深度掉电（Deep Power-down）等，可在图形负载较低时自动进入节能状态，延长设备续航时间或降低数据中心整体能耗。
　　最后，K7N801801B-QC16还具备出色的热管理和可靠性设计。其16x16 mm FBGA封装内置高效散热焊球阵列，能够快速导出芯片工作时产生的热量，避免因局部过热导致性能下降。加之三星严格的制造工艺控制和老化测试流程，保证了该器件在长期高负荷运行下的稳定性和寿命。这些综合优势使其成为NVIDIA Pascal及后续部分Ampere架构显卡中重要的外部显存选择之一。

K7N801801B-QC16主要应用于需要极高内存带宽和低延迟响应的高端图形处理系统中。
　　最典型的应用场景是独立显卡（Discrete Graphics Cards），尤其是面向游戏、专业渲染和深度学习训练的GPU模块。例如，在NVIDIA GeForce GTX 1080 Ti等基于Pascal架构的旗舰级显卡上，就曾使用类似规格的GDDR5X显存颗粒，而K7N801801B-QC16正是此类设计中的关键组成部分。其高数据速率和大容量特性能够支持4K甚至8K分辨率下的流畅画面渲染，满足复杂着色器运算和大纹理贴图加载的需求。
　　此外，该芯片也被用于工作站级图形加速卡，如NVIDIA Quadro系列的部分型号，服务于CAD/CAM、3D建模、视频编辑和科学可视化等领域。在这些专业应用中，显存不仅需要高带宽，还需具备良好的错误处理能力和长时间运行稳定性，而这正是GDDR5X相较于传统GDDR5的优势所在。
　　除了图形领域，K7N801801B-QC16还可用于某些高性能计算（HPC）加速器板卡，尤其是在尚未全面转向HBM（高带宽内存）架构的过渡时期产品中。例如，部分FPGA加速卡或AI推理卡会采用多颗GDDR5X芯片组成并行内存子系统，以实现接近HBM级别的带宽表现，同时保持相对较低的成本和更高的布局灵活性。
　　另外，该芯片也适用于高端网络设备中的帧缓冲存储，如100GbE交换机或路由器的报文缓存单元，利用其高速读写能力提升数据包处理效率。尽管随着GDDR6和GDDR6X的普及，GDDR5X已逐步退出主流市场，但在一些存量设备维护、工业自动化视觉系统升级或特定嵌入式平台中，K7N801801B-QC16仍具有一定的应用价值和技术参考意义。