制造商：Samsung
　　产品系列：K7N
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：4 Gb (512 MB)
　　组织结构：x8位架构，每页2048+64字节
　　工艺制程：约40nm
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　接口类型：ONFI 1.0兼容异步接口
　　读取延迟：典型值约25μs
　　编程时间：平均约300μs/页
　　擦除时间：平均约2ms/块
　　耐久性：10,000次编程/擦除周期
　　数据保持期：10年（在额定条件下）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-48 或 BGA-48

K7N403609B-QC20 采用先进的多层单元（MLC）NAND闪存技术，每个存储单元可存储两位数据，从而显著提升了存储密度并降低了单位比特成本。这种设计使其非常适合用于对成本敏感但又需要较大存储容量的应用，如入门级固态硬盘、USB闪存盘、数码相机和多媒体播放器等。芯片内部由多个存储块组成，每个块包含若干页面，典型的页面大小为2048字节主数据区加64字节备用区，可用于存放ECC校验码、坏块标记和其他元数据信息，以增强数据完整性与可靠性。
　　该器件支持标准的异步ONFI 1.0接口协议，允许控制器通过简单的命令序列执行读、写和擦除操作，具备良好的兼容性和易用性。其读取访问时间约为25微秒，编程时间为平均每页300微秒左右，块擦除时间约为2毫秒，性能表现满足大多数中低端嵌入式系统的存储需求。此外，K7N403609B-QC20 具备10,000次P/E（Program/Erase）循环的耐久性，在正常使用条件下可提供长期稳定的写入寿命，并能在断电后保持数据长达10年，确保关键信息不会轻易丢失。
　　为了提高系统级可靠性，该芯片内置了智能管理功能，包括动态坏块替换、写均衡算法支持以及错误检测与纠正（ECC）机制所需的冗余空间。这些特性使得外部主控可以更有效地管理存储介质，延长整体使用寿命。同时，其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）确保了在恶劣环境下的稳定性，适用于工业自动化、车载设备及户外电子装置等多种严苛应用场景。封装方面，TSOP-48或BGA-48的小型化设计有助于节省PCB空间，提升系统集成度。

K7N403609B-QC20 主要应用于需要中等容量非易失性存储的嵌入式系统和消费类电子产品。常见用途包括入门级固态硬盘（SSD）的存储阵列构建，其中多颗此类NAND芯片并联使用以实现GB级别的总容量；也广泛用于USB闪存驱动器、SD卡、MMC卡等便携式存储设备中，作为主要的数据承载介质。在智能手机和平板电脑早期发展阶段，该型号也曾被用作操作系统和用户数据的存储单元之一，尤其在注重成本控制的设计方案中更为普遍。
　　此外，该芯片还适用于工业控制设备中的固件存储、数据记录仪中的日志保存、网络设备的配置备份以及医疗仪器中的参数存储等场景。由于其具备良好的环境适应能力，可在-40°C至+85°C温度范围内可靠运行，因此也被部署于车载信息娱乐系统、安防监控摄像头和智能电表等工业与物联网终端设备中。在这些应用中，K7N403609B-QC20 不仅提供了必要的存储空间，还能在频繁断电、震动和温湿度变化的环境下维持数据完整性。配合合适的主控芯片和固件算法（如磨损均衡、坏块管理和ECC纠错），该NAND闪存能够有效延长系统整体寿命并提升运行稳定性，是许多成熟设计方案中的关键组件之一。

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