型号：K7N163645A-QC13
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR2 SDRAM
　　存储容量：1Gbit (128M x 8 / 64M x 16)
　　数据接口：x8/x16 可配置
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +95°C
　　封装类型：60-ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
　　引脚间距：0.8mm
　　最大频率：333MHz（等效于667Mbps传输速率）
　　时序参数：CL = 5 或 CL = 6（取决于操作模式）
　　刷新周期：64ms / 8192行
　　突发长度：支持BL=4, BL=8（突发读写模式）
　　电源管理：支持自刷新、掉电模式和时钟使能控制
　　兼容性：符合JEDEC DDR2 SDRAM标准

K7N163645A-QC13 具备多项先进特性，确保其在复杂应用环境中保持高效稳定的性能表现。首先，该芯片采用双倍数据率（DDR）架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，从而实现高达667Mbps的数据传输速率，显著提升了系统整体带宽效率。其内部存储阵列为1Gbit，可通过x8或x16两种数据宽度进行访问，提供了灵活的系统设计选项，适应不同主板布线和控制器接口需求。
　　其次，该器件支持多种低功耗管理模式，包括自动刷新（Auto-refresh）、自刷新（Self-refresh）和时钟使能/禁用（CKE）控制机制。这些功能可在系统空闲或待机状态下有效降低动态和静态功耗，延长设备使用寿命并减少散热压力，特别适合无风扇设计或密闭空间部署的应用场合。
　　再者，K7N163645A-QC13 集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），能够在读写过程中动态启用内部匹配电阻，抑制信号反射，提高高速信号完整性，保障长距离走线下的稳定通信质量。此外，它还支持可编程延迟控制（如CAS Latency可设为5或6），允许系统根据实际时序需求优化性能与稳定性之间的平衡。
　　该芯片采用60-ball FBGA封装，具有较小的物理尺寸和优良的热传导性能，便于在高密度PCB布局中使用。其符合RoHS环保标准，并通过了严格的可靠性测试，确保在工业级温区内长期运行不出现数据错误或硬件失效。最后，作为三星成熟DDR2产品线的一员，K7N163645A-QC13 拥有广泛的第三方技术支持和成熟的配套方案，便于快速导入量产项目。

K7N163645A-QC13 主要应用于对内存性能有一定要求但又不需要DDR3及以上技术的中端系统平台。典型应用包括宽带接入设备如ADSL/Cable调制解调器、家庭网关和SOHO级无线路由器，这类设备需要处理多用户并发数据流，依赖足够的RAM来维持QoS服务质量与路由表缓存效率。
　　在网络基础设施领域，该芯片常见于千兆以太网交换机、IP摄像头前端处理器和小型基站控制单元中，用于图像缓冲、报文队列管理和实时协议解析任务。由于其具备良好的EMI抗干扰能力和稳定的时序响应，也适用于工业自动化控制系统，例如PLC控制器、HMI人机界面终端和远程I/O模块，在恶劣电磁环境下仍能保持数据完整性。
　　在消费电子方面，K7N163645A-QC13 被广泛用于高清机顶盒、智能电视主控板、DVD刻录机和多媒体播放器等设备中，承担操作系统加载、视频解码中间帧存储及用户交互界面渲染等功能。此外，一些基于ARM或PowerPC架构的老款嵌入式单板计算机（SBC）亦采用此型号作为主内存颗粒，因其供货周期长、性价比高且技术支持完善。
　　值得一提的是，尽管DDR2技术已逐步被DDR3/DDR4取代，但在许多仍在生产的 legacy 设备和维护型项目中，K7N163645A-QC13 依然是关键元器件之一，尤其在成本敏感且无需极致性能的场景下，仍具有较强的市场竞争力。

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