型号：K7N161831B-PI16
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：16 Gb (2 GB)
　　单元类型：MLC (Multi-Level Cell)
　　封装类型：TSOP-48 或 BGA
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　接口类型：异步 NAND 接口
　　组织结构：1 plane, 多块结构
　　页大小：2112 字节 (2048 + 64 字节 ECC 区域)
　　块大小：64 页
　　地址输入方式：复用 I/O 总线
　　时序模式：标准 NAND 时序
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　擦写次数：典型值 10,000 P/E cycles
　　数据保持时间：10 年（在额定条件下）
　　ECC 要求：需外部控制器提供至少 4-bit ECC/512B 或更高

K7N161831B-PI16具备多项关键特性，使其成为工业级和嵌入式应用中的可靠存储解决方案。首先，其采用MLC技术，在相同晶圆面积下实现了比SLC更高的存储密度，从而降低了单位比特成本，适用于对成本敏感但又需要一定耐久性的应用场景。尽管MLC的写入寿命略低于SLC，但该芯片仍可支持高达10,000次的编程/擦除循环，足以满足大多数工业设备的数据记录需求。其次，该器件具有良好的电气兼容性，工作电压范围为2.7V至3.6V，允许在宽电源波动环境下稳定运行，特别适合电池供电或电源管理复杂的系统。
　　该芯片采用标准异步NAND接口，命令、地址和数据通过同一组I/O引脚分时传输，减少了引脚数量和PCB布线复杂度。其页大小为2112字节（含64字节备用区），块由64页组成，整体组织结构清晰，便于主控芯片进行逻辑地址映射与磨损均衡管理。内置的状态寄存器可用于查询操作完成状态、检测写保护及识别错误类型，提升了系统的实时响应能力。
　　K7N161831B-PI16支持单平面操作，虽然不具备双平面并发访问功能，但在基本读写任务中依然表现出色。其擦除时间较短，典型值在2ms左右，编程时间约为300μs/页，能够满足中等性能要求的应用场景。为了保障数据完整性，该芯片依赖外部控制器实施ECC机制，推荐使用至少4位纠错能力的算法，以应对随着使用时间增加而可能出现的位翻转问题。
　　在可靠性方面，该器件符合工业级温度规范（-40°C ~ +85°C），可在恶劣环境中长期运行。同时，它具备低功耗待机模式，有助于延长便携设备的续航时间。所有这些特性共同使K7N161831B-PI16成为一个成熟、稳定且广泛应用的NAND闪存选择。

K7N161831B-PI16广泛应用于多种需要非易失性大容量存储的电子系统中。常见用途包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备，用于存储固件、配置参数和历史数据记录。在网络通信设备中，如路由器、交换机和防火墙，该芯片可用作启动代码和操作系统镜像的存储介质，确保设备快速可靠地启动。在车载电子系统中，例如车载信息娱乐系统（IVI）或行车记录仪，K7N161831B-PI16因其宽温特性和较高耐用性而被选用，能够在极端气候条件下稳定工作。
　　此外，该芯片也常见于嵌入式计算平台，如工控机、POS终端和智能仪表，作为本地存储单元承载应用程序和用户数据。在部分消费类电子产品中，如数码相框、便携式媒体播放器等，它同样发挥着重要作用。由于其支持ECC校验并具备一定的坏块管理能力，结合主控芯片可构建出具备自我修复能力的存储子系统，进一步提升整机可靠性。总体而言，任何需要中等容量、工业级稳定性与合理成本平衡的嵌入式存储方案，均可考虑采用K7N161831B-PI16作为核心存储器件。