型号：K7M163625M-QC85
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR4X SDRAM
　　组织结构：16Gb (2GB) x 32位
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.1V, VDDQ_IO = 0.6V
　　数据速率：最高可达4266 Mbps（每引脚）
　　时钟频率：最大2133MHz
　　封装类型：FBGA，126-ball
　　工作温度范围：-30°C 至 +95°C（结温）
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）
　　接口类型：差分时钟输入（CK_t/CK_c）
　　 burst length：BL16, OTF（on-the-fly）可编程
　　 bank数量：8 banks（内部）
　　封装尺寸：约10mm x 12mm x 0.8mm

K7M163625M-QC85具备多项先进技术特性，使其在现代低功耗高性能存储应用中表现出色。首先，该芯片采用了LPDDR4X架构，在维持高数据吞吐量的同时显著降低了功耗，尤其适用于电池供电设备。其核心供电电压为1.1V，而I/O接口电压进一步降低至0.6V，通过减少信号摆幅来实现更高的能效比，从而延长终端设备的续航时间。其次，该器件支持高达4266 Mbps的数据传输速率，结合32位总线宽度，可提供超过17 GB/s的理论带宽，满足图像处理、视频编码、AI推理等高负载任务的需求。
　　该芯片内部集成了8个独立的Banks，支持交错访问和并发操作，有效提高了内存利用率和响应速度。同时，它具备多种省电模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）、自刷新模式（Self-refresh Mode）和部分阵列自刷新（PASR），可根据系统负载动态调整功耗状态。温度补偿自刷新（TCSR）功能能够根据芯片内部温度调节刷新周期，在高温环境下减少不必要的刷新操作，进一步节省电力。
　　在信号完整性方面，K7M163625M-QC85采用差分时钟设计和源同步数据捕获机制，确保在高频下仍能保持稳定的时序控制。其输出驱动强度和ODT（片上终端电阻）均可配置，有助于优化PCB走线匹配和阻抗控制，提升系统稳定性。此外，该器件支持ZQ校准功能，可在运行过程中自动调整输出驱动和终端电阻值，以应对工艺、电压和温度变化带来的影响。
　　从可靠性角度看，K7M163625M-QC85经过严格的测试流程，具备良好的抗干扰能力和长期运行稳定性。其封装采用FBGA技术，具有优良的散热性能和机械强度，适合在紧凑空间内进行高密度布局。整体而言，这款DRAM芯片在性能、功耗、可靠性和集成度之间实现了良好平衡，是高端移动和嵌入式系统的理想选择。

K7M163625M-QC85主要应用于对内存带宽和能效有严苛要求的高性能移动和嵌入式设备。典型应用包括旗舰级智能手机和平板电脑，这些设备通常搭载多核处理器和高性能GPU，运行大型应用程序、高清游戏或多任务操作系统，需要快速且低延迟的内存支持。此外，该芯片也广泛用于便携式游戏主机、AR/VR头显设备以及智能相机等多媒体终端，其中高分辨率视频录制、实时图像处理和AI算法执行依赖于大容量、高速内存资源。
　　在车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）中，K7M163625M-QC85可用于支持多摄像头输入处理、导航系统和车载人工智能模块，其宽温工作范围和高可靠性使其适应复杂车载环境。工业级嵌入式控制器、边缘计算设备和物联网网关也在逐步采用此类高性能低功耗DRAM，以提升本地数据处理能力。
　　由于其高集成度和小尺寸封装，该芯片非常适合空间受限的紧凑型设计，例如超薄笔记本电脑、二合一设备以及无人机控制系统。在5G通信模块和移动热点设备中，该内存可用于缓存大量网络数据包，保障高速无线连接的流畅性。总体而言，K7M163625M-QC85凭借其卓越的性能和能效表现，已成为现代智能设备中不可或缺的关键组件之一。

K3UH4H5HD-AGCL
　　K3UH4H5HD-AGCM
　　MT53E256M32D2NP-046 WT:A
　　EM6GD245BS-24