时间：2025/11/12 21:31:39
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K7I321882M-EC20是一款由三星（Samsung）生产的嵌入式存储芯片，属于其K9系列和K7系列闪存产品线中的一员。该器件是一款基于NAND闪存技术的多芯片封装（MCP）产品，主要面向移动设备应用，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。K7I321882M-EC20集成了高密度的LPDDR4X RAM与eMMC 5.1规格的NAND闪存，提供高效的内存和存储解决方案。这种集成设计有助于节省PCB空间，提高系统整体性能，并降低功耗，特别适合对尺寸和能效要求较高的移动终端设备。
K7I321882M-EC20中的型号编码遵循三星的命名规则：'K7'通常代表低功耗DRAM部分（如LPDDR4X），'I'表示eMMC接口，'32'可能指总容量为32GB（其中RAM为2GB或3GB，ROM为32GB），'188'可能标识特定的内部架构或版本，'2M'可能表示封装类型或数据宽度，而'EC20'则可能是速度等级和温度等级的代码，表明其工作频率和工业级运行能力。该芯片采用先进的BGA封装技术，具有较小的封装尺寸，便于在紧凑型设备中布局。
产品类型：eMMC + LPDDR4X 多芯片封装 (MCP)
存储容量：32GB (eMMC) + 2GB/3GB (RAM)
接口标准：eMMC 5.1
DRAM类型：LPDDR4X
工作电压：VCC: 2.7V ~ 3.6V (NAND), VCCQ: 1.1V ~ 1.3V (I/O), VDD/VDDQ: 1.8V / 1.1V (DRAM)
工作温度：-25°C 至 +85°C
封装类型：BGA, 169-ball 或类似小型化封装
时序模式：HS400 或 HS200 模式支持
最大数据速率：400MB/s (eMMC HS400)
兼容性：符合JEDEC eMMC 5.1规范
可靠性：支持坏块管理、ECC纠错、磨损均衡等机制
K7I321882M-EC20的核心优势在于其高度集成的设计理念，将高性能的LPDDR4X动态随机存取存储器与大容量eMMC 5.1 NAND闪存整合于单一芯片封装内，极大简化了移动设备主板的设计复杂度。LPDDR4X部分采用1.1V核心供电，在保证高速数据传输的同时显著降低了功耗，尤其适用于电池供电设备，延长续航时间。其支持高达4266 Mbps的数据传输速率（双倍数据率），有效提升应用程序加载速度和多任务处理能力。
eMMC 5.1控制器内置于芯片中，具备智能管理功能，包括动态磨损均衡、静态磨损均衡、高级坏块管理、强纠错码（ECC，可达72bit/1KB以上）、读干扰缓解、垃圾回收及TRIM命令支持，确保长期使用的稳定性和数据完整性。此外，它还支持安全功能如写保护、密码保护、安全擦除等，满足用户数据隐私保护需求。
该器件支持多种工作模式，包括待机、睡眠和深度睡眠模式，进一步优化系统能耗。其内置的命令队列和缓存机制提升了随机读写性能，尤其在运行操作系统和大型应用时表现优异。制造工艺方面，采用先进的3D TLC NAND技术，实现更高存储密度和更低单位成本，同时保持良好的耐久性和数据保持力。整个MCP结构经过严格测试，确保在高频信号交互下的电气稳定性与抗干扰能力，适用于高振动、宽温变等复杂使用环境。
K7I321882M-EC20广泛用于中高端智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统、工业手持终端等领域，是追求高性能与小型化设计的理想选择。三星对该系列产品提供长期供货保障和技术支持，确保客户供应链稳定。
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K7I421882M-EC20
KLMAG1JETD-B031
KLM8G1GETF-B031
