K7260M 时间：2025/12/27 12:01:22 阅读：12

K7260M是一款由韩国三星（Samsung）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率、高频开关场合。该器件采用先进的平面栅极工艺技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于对功耗和散热有严格要求的设计场景。K7260M通常封装在TO-220或I2PAK等功率封装形式中，便于安装散热片以增强其散热能力，从而确保在高电流负载下仍能稳定运行。这款MOSFET因其性价比高、性能可靠，在工业控制、消费电子和通信设备中得到了广泛应用。
　　K7260M的主要优势在于其优化的电气特性与坚固的封装设计，使其能够在恶劣的工作环境中长期稳定工作。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造的需求。由于其出色的参数表现，K7260M常被用于替代其他品牌同类型号的MOSFET，如ST、ON Semi、Infineon等厂商的产品，在电路设计中具有较高的互换性和兼容性。

参数

型号：K7260M
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）：7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.75Ω @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.95Ω @ VGS=5V
　　阈值电压（VGS(th)）：3~5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：350pF
　　反向传输电容（Crss）：50pF
　　栅极电荷（Qg）：45nC @ VGS=10V
　　体二极管反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（PD）：125W @ TC=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220/I2PAK

特性

K7260M具备优异的开关性能和导通特性，其核心优势体现在低导通电阻与高耐压能力的结合上。该器件的漏源击穿电压高达600V，能够承受高压环境下的瞬态过压冲击，适用于AC-DC电源适配器、PFC电路及逆变器等高压应用场景。在典型工作条件下，当栅极驱动电压为10V时，其导通电阻仅为0.75Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统整体效率。即使在较低的栅极电压（5V）下，RDS(on)也仅上升至0.95Ω，表明其对低压驱动电路具有良好的适应性，适合与逻辑电平信号直接接口而无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET采用了优化的晶圆结构设计，显著减少了寄生参数的影响，尤其是输入电容（Ciss）控制在1100pF左右，有助于降低高频开关过程中的驱动功率需求。同时，其栅极电荷（Qg）为45nC，在同类产品中处于较低水平，进一步提升了开关速度并减少开关损耗，特别适合工作频率较高的开关电源设计。体二极管的反向恢复时间（trr）为45ns，表现出较快的恢复特性，有助于抑制换流过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统的可靠性。
　　热性能方面，K7260M的最大功耗可达125W（在壳温25°C条件下），结合TO-220或I2PAK封装的良好热传导特性，可通过外接散热片将热量迅速散发，确保长时间高负载运行下的温度可控。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件，包括高温工业现场和低温户外设备。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在异常工况下维持一定时间的安全运行，提升了系统的鲁棒性。

应用

K7260M广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效能、高电压操作的场合。常见应用包括通用开关电源（SMPS），如电脑电源、LED驱动电源、充电器和适配器等，其中它常作为主开关管或同步整流管使用，发挥其低导通损耗和快速开关的优势。在DC-DC变换器中，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构，提供高效的能量转换。此外，K7260M也适用于电机控制电路，例如小型家电电机驱动、电动工具和风扇调速系统，能够实现精确的功率调节与节能运行。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）和电磁阀驱动电路，凭借其高可靠性和长寿命满足工业级应用需求。在新能源相关设备中，如太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，K7260M可作为功率切换元件参与能量转换环节。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也被用于通信设备的电源模块中，保障系统持续稳定运行。总之，凡涉及中等功率等级（数百瓦以内）、高频开关操作的电子设备，K7260M均是一个性能优良且经济实用的选择。