制造商：Samsung
　　产品系列：K6X
　　存储类型：异步SRAM
　　存储容量：256 Kbit
　　存储组织：32K × 8
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作电流：典型值 15mA（最大25mA）
　　待机电流：≤ 10μA
　　访问时间：55ns
　　接口类型：并行异步
　　封装类型：TSOP-48
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　引脚数：48
　　是否符合RoHS：是

该芯片采用高性能CMOS技术，确保了在高速运行下的低功耗与稳定性。其55纳秒的访问时间使其能够在多种实时性要求较高的系统中胜任数据缓存任务，例如在网络交换机中的帧缓冲或工业控制器中的状态暂存。芯片支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统设计并提高了数据可靠性。输入/输出逻辑电平兼容LVTTL标准，便于与多种微处理器、DSP和ASIC等主控器件直接接口，减少了额外电平转换电路的需求。
　　为了优化功耗管理，K6X4008C1F-MB55 提供了两种低功耗模式：待机模式和自动省电模式。当片选信号CE1处于高电平或CE2处于低电平时，芯片自动进入待机状态，此时电源消耗极低，仅为几微安级别，非常适合电池供电或绿色节能应用。同时，所有三态输出端口均具备高阻抗特性，在非激活状态下不会干扰总线，允许多片SRAM共享同一数据总线，增强了系统的扩展能力。
　　该器件具有高抗干扰能力和良好的热稳定性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内可靠运行，适用于恶劣环境下的电子设备。其TSOP-48封装具有较小的物理尺寸和优良的散热性能，有利于实现紧凑型PCB设计。此外，内部电路集成了上电复位功能，确保在电源启动过程中存储器处于确定状态，防止误写或数据损坏。所有控制信号如地址锁存使能（ALE）、写使能（WE）、输出使能（OE）等均经过优化设计，支持灵活的读写时序配置，适应不同主控芯片的总线时序需求。

该芯片常用于需要中等容量、高速存取的嵌入式系统中，典型应用场景包括网络路由器和交换机中的数据包缓冲区，用于临时存储待处理的数据帧；在工业自动化设备中作为PLC或HMI系统的中间数据暂存区域，提升响应速度；在医疗仪器中用于采集传感器数据的高速缓存，保障实时性；在消费类电子产品如打印机、扫描仪中用于图像数据的临时存储；还可作为数字信号处理器（DSP）或微控制器（MCU）的外部扩展RAM，增强系统处理能力。由于其宽温特性和高可靠性，也适用于车载电子系统和户外通信基站设备。此外，在测试测量仪器中，可用于波形记录和采样数据的快速读写操作。

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