制造商：Samsung Electronics
　　产品类别：SRAM
　　存储容量：8 Mbit
　　组织方式：1M x 8
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作电流：典型值 90mA（运行模式）
　　待机电流：最大 10μA
　　访问时间：55ns
　　接口类型：并行异步
　　封装类型：44-TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　引脚数：44
　　数据总线宽度：8位
　　读写周期时间：55ns
　　输入逻辑电平：CMOS/TTL兼容

K6T8008C2M-TF55 具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统中理想的静态存储解决方案。首先，其55纳秒的快速访问时间确保了高效的数据读写能力，能够在微处理器或控制器需要即时响应的应用中提供卓越性能。这种速度特别适用于实时处理任务，如工业自动化控制系统、通信网关缓冲区管理以及图像处理中间数据暂存等场景。
　　其次，该芯片采用CMOS工艺制造，显著降低了功耗水平。在正常运行模式下，典型工作电流仅为90mA，而在待机或低功耗模式下，电流消耗可降至10μA以下，极大地提升了系统的能效比。这一特性对于依赖电池供电或对热管理有严格要求的设备尤为重要，例如便携式医疗仪器、远程监控终端和无线接入点等。
　　再者，K6T8008C2M-TF55 支持全静态操作，意味着只要保持供电，数据即可持续保存而无需刷新机制，这与DRAM不同，避免了复杂的时序控制和刷新电路设计，简化了系统架构并提高了稳定性。同时，其输入输出引脚兼容TTL和CMOS电平，增强了与其他数字逻辑器件的互操作性，便于集成到多种不同的主板设计中。
　　封装方面，44引脚TSOP封装不仅提供了足够的I/O密度，还具备优良的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程，并能在振动或温变较大的环境中保持可靠连接。此外，该器件经过严格的工业级温度测试，可在-40°C至+85°C范围内稳定运行，满足严苛的工业与户外应用需求。
　　最后，K6T8008C2M-TF55 遵循绿色环保设计理念，符合RoHS指令要求，不含铅、镉、汞等有害物质，支持无铅回流焊工艺，适应现代电子制造业的环保趋势。综合来看，这些特性共同构成了一个高性能、低功耗、高可靠性的SRAM解决方案，适用于多类中高端电子设备。

K6T8008C2M-TF55 广泛应用于需要高速、可靠、低功耗数据存储的各类电子系统中。在通信领域，它常被用作路由器、交换机和基站设备中的帧缓冲器或队列缓存，用于临时存储待处理的数据包，以提高数据吞吐效率和响应速度。由于其55ns的快速访问时间，能够有效支持高速数据链路层协议的实时处理需求。
　　在工业控制方面，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和数控机床中，作为程序运行时的临时变量存储区或中断服务堆栈空间，保障控制指令的快速执行和系统稳定性。其宽温工作能力使其能在工厂车间、电力变电站等高温或低温环境下长期可靠运行。
　　消费类电子设备如激光打印机、多功能一体机和扫描仪也普遍采用此类SRAM来缓存图像数据或打印队列信息。K6T8008C2M-TF55 的8Mbit容量足以支持A4幅面高分辨率图像的临时存储，且无需刷新机制，减少了CPU负担。
　　此外，在医疗仪器、测试测量设备和车载电子系统中，该芯片用于存储传感器采集的实时数据或配置参数，确保在断电前的关键信息不丢失（配合备用电源使用）。其高抗干扰能力和稳定性有助于提升整体系统的安全等级。
　　最后，在一些需要扩展主控MCU外部内存的小型嵌入式系统中，K6T8008C2M-TF55 可作为外扩RAM使用，弥补片上内存不足的问题，尤其适用于运行RTOS或多任务调度的应用场景。总之，该器件凭借其性能与可靠性的平衡，已成为众多行业标准设计中的常用元件。

CY7C109BN-SXCT
　　IS61LV10248-55BLL
　　AS6C62256-55SXN