制造商：Samsung
　　产品类别：SRAM
　　存储容量：4Mb
　　组织结构：256K x 16
　　工作电压：2.5V ~ 3.6V
　　最大访问时间：85ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：48-TSOP
　　接口类型：并行
　　电源电压最小值：2.5V
　　电源电压最大值：3.6V
　　数据总线宽度：16位
　　输入/输出逻辑兼容性：LVTTL
　　读取电流（最大）：40mA
　　待机电流（最大）：10μA
　　封装宽度：8.9mm
　　安装方式：表面贴装

K6T4016V3B-TF85具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统中的理想选择。首先，该器件采用了先进的CMOS工艺制造，显著降低了动态和静态功耗，尤其在待机模式下电流消耗极低，仅为几微安级别，非常适合对能效要求较高的便携式设备和电池供电系统。
　　其次，其85纳秒的快速访问时间保证了高效的数据读取能力，能够在不依赖缓存的情况下直接提供处理器所需的数据，从而减少延迟，提升整体系统响应速度。这种高速特性特别适用于实时控制系统、视频处理单元以及网络交换设备等需要频繁访问内存的场合。
　　再者，K6T4016V3B-TF85支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统设计，并提高了数据保持的可靠性。其三态输出缓冲器允许在多设备共享总线时有效隔离未选中的芯片，防止总线冲突，增强了系统的稳定性与扩展性。
　　此外，该SRAM具有高抗干扰能力和宽工作电压范围（2.5V至3.6V），可在不同电源条件下稳定运行，适应多种供电架构。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保在极端环境下仍能维持正常功能，适用于户外通信基站、车载电子和工业自动化设备等严苛应用场景。
　　最后，48引脚TSOP封装不仅体积小巧，还具备良好的热性能和机械强度，适合自动化贴片生产，有助于提高制造效率并降低组装成本。综合来看，K6T4016V3B-TF85以其高性能、低功耗、高可靠性和广泛的适用性，在现代电子系统中扮演着重要角色。

K6T4016V3B-TF85广泛应用于多个高要求的电子系统领域。在通信设备中，它常用于路由器、交换机和基站模块中作为帧缓冲或临时数据存储，利用其高速读写能力处理大量实时数据包，确保信息传输的流畅性与低延迟。
　　在工业控制领域，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制卡中，用于暂存程序变量、I/O状态和实时采集数据，支持快速响应现场信号变化，保障生产过程的连续性和精确性。
　　在网络设备方面，由于其支持并行接口和快速访问特性，K6T4016V3B-TF85可用于网络打印机、IP摄像头和边缘计算网关中，承担图像缓存、协议处理中间结果存储等功能，提升设备的整体处理效率。
　　此外，在消费类电子产品如高端多媒体播放器、数字电视和游戏终端中，该SRAM可用于图形叠加缓冲或音频数据预加载，改善用户体验。
　　在汽车电子系统中，尽管主要使用车规级器件，但在某些非安全相关的车载信息娱乐系统（IVI）或诊断工具中，K6T4016V3B-TF85也可作为辅助存储使用。
　　科研仪器和测试测量设备也常采用此类SRAM进行高速采样数据的临时存储，例如示波器、频谱分析仪等，以满足对数据吞吐率和稳定性的严格要求。总之，凡是需要高速、可靠、低延迟数据存取的场合，K6T4016V3B-TF85都是一个值得信赖的选择。

CY7C4016V-85BZC