时间：2025/4/27 17:27:23
阅读：4
K6T2008V2A-YF85 是一款由韩国厂商生产的 SRAM（静态随机存取存储器）芯片，广泛应用于需要高速数据读写和临时存储的场景。该型号属于 K6T 系列，采用 CMOS 工艺制造，具有低功耗、高稳定性和快速访问时间的特点。其封装形式为 BGA（球栅阵列封装），引脚数为 85，适合用于嵌入式系统、网络设备、工业控制等领域。
存储容量：2Mb（262,144 字 x 8 位）
工作电压：1.71V 至 1.98V
访问时间：45ns
数据保留时间：无限期（在规定的工作条件下）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：BGA-85
接口类型：同步
工艺制程：CMOS
K6T2008V2A-YF85 提供了出色的性能和可靠性，其主要特性包括：
1. 高速访问能力，支持高达 45ns 的存取时间。
2. 超低功耗设计，适用于对能效要求较高的应用环境。
3. 强大的抗干扰能力，确保数据完整性。
4. 宽工作温度范围，能够适应各种恶劣环境下的运行需求。
5. 支持同步接口，便于与现代处理器进行无缝连接。
6. 数据保留时间无限，确保在断电情况下数据不会丢失。
这些特性使得 K6T2008V2A-YF85 成为许多高性能系统的理想选择。
这款 SRAM 芯片适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 嵌入式系统中的缓存模块。
2. 工业自动化设备中的实时数据处理。
3. 网络路由器和交换机中的包缓冲区。
4. 医疗成像设备中的图像处理任务。
5. 游戏机和其他消费电子产品的临时存储。
K6T2008V2A-YF85 凭借其高速度和低功耗，在上述领域中表现出色，满足了不同行业对高性能存储的需求。
K6T2008V2A-YF72, K6T1008V2A-YF85, AS6C4008
