型号：K6284K
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：800V
　　连续漏极电流ID：2.5A
　　脉冲漏极电流IDM：10A
　　栅源电压VGS：±30V
　　导通电阻RDS(on)：典型值3.5Ω（@ VGS=10V）
　　阈值电压VGS(th)：2V ~ 4V
　　输入电容Ciss：典型值500pF（@ VDS=25V）
　　输出电容Coss：典型值100pF
　　反向恢复时间trr：典型值50ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

K6284K作为一款高压N沟道MOSFET，具备多项关键特性以满足现代电源系统对高效能和高可靠性的要求。首先，其高达800V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于宽范围输入电压的应用环境，例如通用交流输入（90VAC~265VAC）的开关电源（SMPS）和离线式变换器中，能够在高压瞬态条件下保持稳定工作而不会发生击穿故障。其次，该器件具有相对较低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为3.5Ω，这意味着在导通状态下产生的I2R损耗较小，有助于提高电源转换效率并减少散热压力。
　　此外，K6284K采用了优化的平面栅极结构，实现了较快的开关速度，降低了开关过程中的交越损耗，从而提升了高频工作的适应能力。这对于工作频率在几十kHz至数百kHz的PWM控制器驱动应用尤为重要。同时，其输入电容和输出电容数值适中，使得驱动电路无需提供过大的驱动电流即可完成快速充放电，兼容大多数常见的PWM控制IC输出级。
　　该器件还具备良好的热性能，TO-220封装不仅机械强度高，而且可通过外接散热片将内部产生的热量有效传导出去，确保长时间运行下的结温处于安全范围内。其最大工作结温可达150℃，并支持在-55℃的低温环境下启动，适合工业级应用环境。内置体二极管具有一定的反向恢复能力，虽然未专门优化用于同步整流，但在某些非连续导通模式（DCM）反激变换器中仍可起到续流作用。
　　值得一提的是，K6284K在抗雪崩能力和dV/dt耐受性方面也有一定保障，能够在突发负载切换或线路浪涌时维持基本功能完整性。这种鲁棒性使其在没有额外复杂保护电路的情况下也能实现较为可靠的运行。综合来看，K6284K凭借其高压能力、合理导通性能、成熟封装和成本优势，成为众多中低端电源产品中主流的功率开关器件选择。

K6284K主要应用于各类需要高压开关能力的电源系统中，典型使用场景包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、离线式AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、小型逆变器、电机控制电路、电子镇流器以及充电设备等。由于其800V的高耐压特性，特别适用于全桥、半桥或反激式拓扑结构的初级侧开关元件，尤其在低功率到中等功率范围（如10W至150W）的电源设计中表现出色。此外，它也可用于DC-DC升压或降压变换器中的主控开关，配合PWM控制器实现精确稳压输出。在工业自动化设备中，K6284K可用于继电器驱动或电磁阀控制电路，利用其快速响应特性实现精准通断控制。家用电器如空调、洗衣机、微波炉中的电源模块也常采用此类MOSFET进行功率调节。因其封装易于安装与维修，且具备良好的散热性能，非常适合需要长期连续运行的嵌入式系统。在照明领域，尤其是高压LED路灯或工业照明电源中，K6284K作为主开关管可有效提升系统效率并降低温升。此外，在太阳能微型逆变器或电池管理系统（BMS）中，该器件也可承担能量通路的通断控制任务。总体而言，凡涉及直流高压开关操作且对成本敏感的应用场合，K6284K均是一个实用且可靠的选择。

K6284, K6284S, 2SK2844, 2SK2845, FJPF800T, FJP13005