容量：64 Kbit (8K × 8)
　　组织结构：8192 字 × 8 位
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V 或 4.5V ~ 5.5V
　　工作电流：典型值 15 mA（运行模式），<1 μA（待机模式）
　　访问时间：55 ns / 70 ns / 100 ns（根据速度等级）
　　封装类型：8-SOIC, 8-DIP
　　温度范围：0°C 至 +70°C（商业级），-40°C 至 +85°C（工业级）
　　输入/输出逻辑电平：兼容TTL/CMOS
　　写使能延迟：t_WEL, t_WH
　　片选建立与保持时间：t_CS, t_CH
　　数据保持时间：t_DH
　　三态输出控制：支持总线挂接

K6264K的核心特性之一是其基于高性能CMOS工艺构建的全静态异步SRAM架构，能够在不依赖外部时钟信号的情况下实现稳定的数据读写操作，简化了系统设计复杂性。该芯片内部由六个晶体管组成的存储单元构成每个存储位，确保了快速访问和高抗干扰能力。其双片选输入（CE1、CE2）设计允许灵活的地址解码方式，支持多芯片并联扩展存储空间，并可通过组合逻辑实现精确的片选控制，提升系统寻址效率。
　　K6264K具备出色的功耗管理机制，当CE1为高电平或CE2为低电平时，器件自动进入低功耗待机模式，此时工作电流可降至微安级别，极大地延长了电池寿命，非常适合用于手持设备、智能仪表和远程传感器等对能效要求较高的应用场景。
　　该器件的输出使能（OE）和写使能（WE）信号独立控制读写操作，支持真正的三态输出缓冲器，允许多个SRAM或其他外设共享同一数据总线而不会发生冲突。这种总线友好的特性使其易于集成到复杂的微控制器系统中。
　　在可靠性方面，K6264K经过严格的制造测试流程，具备良好的抗静电能力和高温工作稳定性。其封装采用符合RoHS标准的环保材料，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。此外，该芯片还具备优异的数据保持能力，在断电后只要保持供电即可长期保存数据，无需刷新电路，避免了动态RAM常见的刷新开销和时序复杂性。
　　总体而言，K6264K以其高集成度、低功耗、高速性能和工业级可靠性，成为众多嵌入式系统中理想的通用静态存储解决方案。

K6264K被广泛应用于各类需要中等容量、快速响应和低功耗特性的电子系统中。在通信领域，它常用于路由器、调制解调器和交换机中的缓存存储，临时存放数据包或配置信息，以提高数据处理效率。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和数据采集模块，作为程序运行缓冲区或实时变量存储区域，保障控制指令的快速执行。
　　在消费类电子产品中，如打印机、扫描仪、数码相机和智能家居控制面板，K6264K提供足够的存储空间用于图像缓冲、字体库暂存或用户设置保存，同时其低功耗特性有助于减少发热和延长设备续航时间。
　　医疗设备中也常见其身影，例如便携式监护仪、血糖仪和超声探头控制单元，利用其高可靠性和宽温工作能力，在严苛环境下仍能保持数据完整性。
　　此外，在汽车电子系统中，K6264K可用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统的辅助存储或ECU（电子控制单元）中的临时数据缓存，满足车规级应用的部分要求（需确认具体型号是否通过AEC-Q100认证）。
　　由于其引脚排列标准化且易于替换，K6264K也成为许多开发板、教学实验平台和原型验证系统中的常用SRAM器件，方便工程师进行功能调试和系统优化。