型号：K6257K
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 VDS：650 V
　　漏极电流 ID @ 25°C：38 A
　　漏极电流 ID @ 100°C：24 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS=10V：77 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS=10V, TJ=110°C：95 mΩ
　　栅极阈值电压 VGS(th)：3.0 V ~ 4.5 V
　　栅极电荷 Qg typ：95 nC
　　输入电容 Ciss typ：3700 pF
　　输出电容 Coss typ：150 pF
　　反向恢复时间 trr max：40 ns
　　最大结温 TJ max：150 °C
　　封装形式：TO-220

K6257K 具备卓越的电气性能与热管理能力，其核心优势在于采用了英飞凌成熟的高压 Trench MOS 技术，实现了在 650V 高压应用下的低导通损耗与快速开关响应。该器件的典型导通电阻仅为 77mΩ，在同类产品中处于领先水平，显著降低了传导过程中的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。同时，由于其较低的栅极电荷（典型值 95nC），在高频开关应用中能够有效减少驱动电路的能量消耗，从而降低系统功耗并简化驱动设计。此外，K6257K 的输出电容较小（Coss = 150pF），进一步减少了开关过程中的能量损耗，尤其适用于硬开关拓扑如 PFC（功率因数校正）和 LLC 谐振转换器。
　　该器件具备出色的动态性能，反向恢复时间最长达 40ns，配合优化的体二极管特性，可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统可靠性。其热稳定性表现优异，即使在高温环境下（如结温达 110°C 时），RDS(on) 仅上升至约 95mΩ，确保了长时间运行的稳定性。TO-220 封装不仅提供了良好的机械强度，还具备较强的散热能力，可通过外接散热片实现高效热传导。K6257K 还内置了良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持安全运行，避免器件损坏。这些特性使其成为工业级高可靠性电源设计的理想选择，尤其适合对效率、体积和热性能有严格要求的应用场景。

K6257K 广泛应用于各类中高功率电力电子系统中，尤其适用于需要高效能和高可靠性的电源拓扑结构。其主要应用领域包括但不限于：开关模式电源（SMPS），特别是用于服务器电源、通信电源和工业电源模块中的主开关管；在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）电路中作为升压开关使用，凭借其低 RDS(on) 和快速开关特性，可显著提升 PFC 级的转换效率；在 DC-DC 转换器中，如半桥、全桥或同步整流拓扑中担任主功率开关元件；在太阳能光伏逆变器中用于直流侧开关单元，支持高电压输入条件下的稳定运行；此外，也常见于电动工具、UPS 不间断电源、电机驱动控制板以及充电桩电源模块等工业和新能源领域。由于其具备良好的高温工作能力和抗干扰性能，K6257K 特别适合部署在通风受限或环境温度较高的封闭式设备中。

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　　 "IPP65R770CFD",
　　 "SPW65R770C3",
　　 "STL65N6F7"
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