时间：2025/5/20 16:54:42
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K5N5666ATD-BQ12 是一款由三星（Samsung）生产的高密度 NAND 闪存芯片，采用先进的制程工艺制造。该芯片主要用于需要大容量存储的应用场景，例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘、嵌入式存储设备以及消费类电子产品等。其设计旨在提供高效的写入和读取速度，同时保持较低的功耗水平。
这款 NAND 闪存芯片支持多种接口标准，并具备纠错码（ECC）功能以提高数据可靠性。它具有多平面操作能力，可以显著提升性能，尤其在连续写入和随机读取任务中表现突出。
容量：64Gb
接口：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装类型：BGA
引脚数：169
温度范围：-40°C 至 +85°C
页面大小：16KB
区块大小：512KB
数据传输速率：400MT/s
K5N5666ATD-BQ12 是基于 MLC（多层单元）技术的 NAND 闪存芯片，具备以下特点：
1. 高密度存储：单颗芯片即可提供 64Gb 的存储容量，适用于需要大容量存储的应用。
2. 多平面操作：支持同时对多个平面进行操作，从而大幅提升数据吞吐量。
3. ECC 支持：内置硬件纠错功能，可有效减少数据错误，确保数据完整性。
4. 快速接口：采用 Toggle DDR 2.0 接口，支持高达 400MT/s 的数据传输速率。
5. 低功耗设计：优化的电路设计使其在运行过程中消耗更少的电能，延长设备电池寿命。
6. 广泛的工作温度范围：能够适应从工业级低温到高温的各种环境，保证了产品的可靠性。
K5N5666ATD-BQ12 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为 SSD 的核心存储单元，提供高速的数据访问能力。
2. USB 闪存盘：用于生产高性能 U 盘，满足用户对快速文件传输的需求。
3. 嵌入式系统：广泛应用于各类嵌入式设备中，如智能电视、>4. 消费电子：包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备的外部存储扩展。
5. 工业控制：由于其宽温特性和高可靠性，也适合于工业自动化和监控系统等领域。
K5P5616UHM-DG12, KLMAG4R7EM-B031, KLNAG4R2EM-B031
