时间:2025/11/13 19:42:15
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K4X56323PG-8GC3ES是一款由三星(Samsung)生产的高性能、低功耗的DDR2 SDRAM(双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器)芯片,主要用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及消费类电子产品中。该芯片采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,具有高密度存储能力与优良的电气性能,适用于对空间和功耗敏感的应用场景。K4X56323PG-8GC3ES的存储容量为512Mbit(即64MB),组织结构为32M x 16位,工作电压为1.8V±0.1V,符合JEDEC标准的DDR2接口规范。该器件支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCSR)和部分阵列自刷新等节能功能,能够在不同环境条件下保持数据完整性并降低系统整体功耗。此外,该芯片具备差分时钟输入(CK/CK#)、数据选通屏蔽(DQM)和可编程CAS延迟等功能,增强了其在高速数据传输中的稳定性和兼容性。作为一款工业级或扩展温度范围的产品,K4X56323PG-8GC3ES可在较宽的工作温度范围内可靠运行,适合严苛的工业和通信应用环境。
型号:K4X56323PG-8GC3ES
制造商:Samsung
类型:DDR2 SDRAM
容量:512 Mbit (32M x 16)
电压:1.8V ±0.1V
封装:60-ball FBGA (8mm x 13mm)
工作温度:-40°C 至 +85°C
最大时钟频率:400 MHz (DDR-800)
数据速率:800 Mbps
CAS 延迟(CL):4, 5, 6 可配置
访问时间:< 7.5 ns
刷新模式:自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新
输入/输出逻辑:SSTL_18
引脚数量:60
安装方式:表面贴装(SMD)
K4X56323PG-8GC3ES具备多项先进的技术特性,使其在众多DDR2内存产品中脱颖而出。首先,其采用了双倍数据速率架构,在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据,从而有效提升数据吞吐率至800Mbps,满足高带宽应用需求。其次,该芯片支持多种电源管理模式,包括自动刷新、自刷新以及温度补偿自刷新(TCSR),可根据系统负载动态调整功耗状态,在保证数据不丢失的前提下显著降低能耗,特别适用于电池供电或散热受限的嵌入式设备。
该器件还具备出色的信号完整性和抗干扰能力,通过差分时钟输入(CK/CK#)实现精确的时序控制,减少时钟抖动带来的误码风险。同时,它支持可编程CAS延迟(CL=4/5/6),允许用户根据实际系统时序要求进行优化配置,提高系统的兼容性和稳定性。数据掩码功能(DQM)支持写操作的数据屏蔽以及读操作的输出停用,有助于实现字节级数据控制和突发传输管理。
在物理设计方面,K4X56323PG-8GC3ES采用紧凑的60-ball FBGA封装,尺寸仅为8mm × 13mm,适合高密度PCB布局。该封装形式具有良好的热性能和机械可靠性,能够适应振动、温变等恶劣工况。此外,该芯片符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,适用于全球市场的绿色环保产品设计。最后,其扩展工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)确保了在极端环境下的长期稳定运行,广泛应用于工业自动化、网络路由器、视频监控设备等领域。
K4X56323PG-8GC3ES因其高性能与高可靠性的特点,被广泛应用于多种需要中等容量高速缓存的电子系统中。在通信领域,常用于网络交换机、路由器和DSL调制解调器中作为帧缓冲或包处理缓存,支持高速数据包的临时存储与快速访问,提升网络吞吐效率。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和工业计算机中,提供实时数据暂存和程序运行所需的内存支持,保障控制指令的及时响应。
在消费类电子产品方面,K4X56323PG-8GC3ES适用于数字电视、机顶盒、多媒体播放器等设备,用于图像解码、视频流缓存和图形渲染过程中的临时数据存储,确保画面流畅无卡顿。此外,在安防监控系统中,该芯片可作为摄像头或NVR(网络视频录像机)中的图像缓存单元,支持多路高清视频流的同时采集与压缩处理。
由于其支持宽温工作和低功耗特性,也常见于车载信息娱乐系统、医疗监测设备和户外通信终端等对环境适应性要求较高的应用场景。总体而言,K4X56323PG-8GC3ES是一款兼顾性能、功耗与可靠性的DDR2内存解决方案,适用于各类中高端嵌入式系统的主存或辅助缓存模块。
K4X56323PG-8GCJ