K4U6E3D4AB-MGCL 是一款由三星(Samsung)制造的 DDR5 SDRAM 内存颗粒。该型号属于三星的先进存储产品线,采用10nm级制程工艺制造,支持更高的数据传输速率和更低的功耗。其设计主要面向高性能计算、服务器、数据中心以及高端消费类电子设备等领域。
DDR5相较于DDR4有着显著的性能提升,包括更高的频率、更大的单颗芯片容量以及更优化的能耗表现。K4U6E3D4AB-MGCL在内部架构上进行了改进,具备更强的信号完整性和可靠性。
类型:DDR5 SDRAM
容量:8 Gb (1 GB)
组织:16Gb x 8
核心电压:1.1V
I/O电压:1.1V
速度:6400 Mbps (即DDR5-6400)
工作温度:-40°C ~ +95°C
封装形式:BGA 72-ball
刷新模式:自动刷新/自刷新
突发长度:16, 32
CAS延迟:40, 42, 44
K4U6E3D4AB-MGCL采用了DDR5标准的诸多新特性,包括但不限于以下方面:
1. 更高的带宽:相比DDR4,DDR5提供了两倍的基础带宽,并且可以通过多通道架构进一步提升性能。
2. 改进的电源管理:集成的PMIC(电源管理集成电路)有助于更精确地控制电压,降低功耗。
3. ECC支持:片上纠错功能提升了数据的可靠性和完整性。
4. 双子通道架构:每个DIMM被划分为两个独立的子通道,从而减少了总线争用并提高了效率。
5. 稳定性增强:通过更好的信号完整性和更先进的错误检测机制确保了长期稳定运行。
此外,该器件还支持CA训练和写入 leveling等高级功能以优化时序和接口性能。
K4U6E3D4AB-MGCL广泛适用于需要高带宽内存的各种场景,具体包括:
1. 高性能服务器和工作站:
为数据中心和云计算环境提供快速的数据处理能力。
2. AI和机器学习平台:
支持深度学习模型训练所需的海量数据吞吐。
3. 图形工作站:
满足复杂3D建模和渲染任务对内存性能的需求。
4. 游戏PC:
为主流及发烧级游戏玩家带来流畅体验。
5. 工业自动化和嵌入式系统:
应用于需要长时间稳定运行的关键任务型设备中。
K4U6E3D4BB-MGCL
K4U6E4D4AB-MGCL
K4U6G3D4AB-MGCL