型号：K4T51163QQ-BCE6000
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR2 SDRAM
　　存储容量：1 Gb (64M x 16)
　　电压 - 核心：1.2V
　　电压 - I/O：1.8V
　　工作温度：-30°C ~ 85°C
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90
　　数据总线宽度：16位
　　最大数据速率：600 Mbps
　　时钟频率：300 MHz
　　刷新模式：自动/自刷新
　　低功耗模式：支持
　　JEDEC兼容：是

K4T51163QQ-BCE6000具备多项关键技术特性，使其在低功耗移动存储领域表现出色。首先，该芯片基于LPDDR2标准设计，采用了先进的CMOS工艺制造，确保在高频运行下的稳定性和低漏电流表现。其核心电压为1.2V，I/O电压为1.8V，相较于传统DDR2的2.5V或1.8V供电方案，显著降低了整体功耗，特别适合依赖电池供电的便携设备。芯片支持多种电源管理模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-down Mode），可在系统空闲或待机状态下大幅减少能耗。例如，在自刷新模式下，内存控制器将控制权交予内部计时器，DRAM自行维持数据完整性，此时外部时钟可被关闭，进一步节省电力。
　　其次，K4T51163QQ-BCE6000拥有高效的双倍数据速率架构，允许在每个时钟周期的上升沿和下降沿同时传输数据，从而在300MHz时钟频率下实现等效600Mbps的数据传输速率。这种高带宽特性能够满足多任务操作系统、高清视频播放以及图形密集型应用对内存吞吐量的要求。此外，该器件采用16位数据总线宽度，64M×16的组织结构优化了地址映射效率，减少了寻址延迟，并提升了连续读写性能。
　　再者，该芯片集成温度补偿刷新（TCR, Temperature Compensated Refresh）功能，可根据检测到的芯片温度动态调整刷新间隔。高温时增加刷新频率以保证数据可靠性，低温时则延长刷新周期以降低功耗，这一机制在宽温环境下尤为关键。封装方面，采用90引脚FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）形式，具有优异的电气性能和散热能力，适用于高密度PCB布局。最后，K4T51163QQ-BCE6000完全符合JEDEC JESD209-2标准，确保与其他符合规范的控制器和系统的互操作性，便于系统集成和批量生产。

K4T51163QQ-BCE6000主要面向对体积、功耗和性能有综合要求的移动与嵌入式平台。其典型应用场景包括早期的智能手机和平板电脑，尤其是在2010年至2013年期间发布的部分三星Galaxy系列设备中，常作为主内存组件与应用处理器协同工作，支持Android操作系统下的多任务处理、网页浏览、多媒体解码等功能。此外，该芯片也用于便携式导航仪（PND）、智能手持终端、工业人机界面（HMI）以及车载信息娱乐系统（IVI）等设备中，这些应用通常需要在有限的空间内实现稳定的内存性能和较长的续航时间。
　　在嵌入式控制系统中，K4T51163QQ-BCE6000可用于运行实时操作系统（RTOS）或Linux变体的小型计算模块，提供足够的RAM资源以支撑应用程序的执行。由于其具备宽温工作能力（-30°C至85°C），因此也能适应较为严苛的工业或户外环境。另外，在一些需要更换或升级旧设备内存的维修场景中，该型号仍具有一定的市场需求，尤其是一些停产设备的备件替换。虽然当前主流消费电子产品已转向更高密度和更快速度的LPDDR3及以上标准，但K4T51163QQ-BCE6000凭借其成熟的技术、稳定的供货记录和良好的兼容性，在特定细分市场中依然保有应用价值。

K4T51163QC-BCE7