时间：2025/5/14 19:11:50
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K4T51163QQ-BCE6 是由三星（Samsung）生产的一款 DDR4 内存颗粒芯片，主要应用于计算机内存条、服务器以及嵌入式设备等需要高性能数据存储和处理的场景。该型号采用先进的制程工艺制造，具备高频率、低功耗以及稳定的性能表现。
DDR4 技术在内存领域占据重要地位，其更高的传输速率和更低的工作电压相较于 DDR3 提供了显著的优势。
类型：DRAM
标准：DDR4
容量：8Gb (1Gb x 8)
核心组织：16-bank
工作电压：1.2V
接口：BGA 封装
速度：3200Mbps
封装：BCE6
工作温度：-40°C 至 +85°C
K4T51163QQ-BCE6 具备以下显著特性：
1. 高速数据传输：支持高达 3200Mbps 的数据传输速率，能够满足现代计算设备对高性能内存的需求。
2. 低功耗设计：工作电压为 1.2V，相比前代 DDR3 芯片降低了功耗，提升了能效比。
3. 稳定性与可靠性：通过优化内部电路设计和采用高质量材料，确保芯片在极端温度范围内的稳定运行。
4. 兼容性强：符合 JEDEC DDR4 标准，可广泛适用于多种平台和系统架构。
5. 小型化封装：采用 BGA 封装技术，具有更小的尺寸和更高的引脚密度，适合高密度 PCB 设计需求。
K4T51163QQ-BCE6 广泛应用于以下领域：
1. 台式电脑和笔记本电脑的内存条。
2. 数据中心和企业级服务器的高容量内存模块。
3. 工业控制设备及嵌入式系统的高速数据缓存。
4. 游戏主机和其他高性能计算设备中的关键存储组件。
5. 特殊用途硬件如网络设备、安防监控系统等需要高效数据处理能力的产品中。
K4T51163QH-BCE7
K4T51163QH-DGC7
K4T51163QF-DGC7
