型号：K4T51163QN-BIE7
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR2 SDRAM
　　存储容量：512 Mbit (32M x 16)
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　接口类型：Parallel DDR2
　　封装形式：BGA
　　引脚数：90-ball
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大时钟频率：400 MHz（800 Mbps 数据速率）
　　数据宽度：16位
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　CAS 延迟（CL）：4, 5, 6 可选
　　突发长度：固定或可编程（1, 2, 4, 8）
　　访问时间：约 7.5ns（tAC）
　　供电电流：典型值 200mA（工作状态）
　　待机电流：典型值 50μA（掉电模式）

K4T51163QN-BIE7 具备多项先进的技术特性，使其在众多 DDR2 存储器中脱颖而出。首先，其采用双倍数据速率（DDR）架构，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，显著提升了数据吞吐能力，最高可达 800 Mbps 的峰值传输速率，满足了对高速数据交换的需求。其次，该芯片支持多种低功耗模式，包括自动刷新、自刷新和掉电模式。特别是在自刷新模式下，内部电路可以自主管理刷新操作，无需外部控制器干预，从而大幅降低系统待机时的能耗，非常适合电池供电或节能要求高的应用场合。此外，温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据环境温度动态调整刷新频率，在高温环境下增加刷新次数以防止数据丢失，在低温下减少刷新次数以节省电力，实现了可靠性与能效的最佳平衡。
　　该器件还具备出色的电气兼容性和稳定性，符合 JEDEC 标准的 DDR2 协议，支持 CAS 延迟（CL=4/5/6）、突发长度（BL=1/2/4/8）等关键参数的可编程配置，允许系统设计者根据实际性能需求和时序约束进行优化设置。其内部采用差分时钟输入（CK/CK#），增强了抗噪声能力，提高了时钟信号的稳定性；同时支持数据选通屏蔽（DQM）功能，可在读写过程中控制 I/O 缓冲的启用与关闭，防止无效数据输出或误写入，提升系统数据完整性。K4T51163QN-BIE7 还集成了内部终止电阻（On-Die Termination, ODT），有效减少了信号反射和串扰，改善高速信号传输质量，尤其适用于高密度布线的多层 PCB 设计。最后，该芯片采用 90-ball BGA 封装，体积小巧且散热性能良好，便于在紧凑型设备中布局，并通过严格的工业级温度认证（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定运行，展现出卓越的环境适应性与长期可靠性。

K4T51163QN-BIE7 广泛应用于各类需要中等容量、高性能、低功耗内存支持的电子系统中。在嵌入式系统领域，该芯片常用于工业控制主机、PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及自动化仪表中，作为主处理器的外部缓存或运行内存，支撑实时操作系统和复杂控制算法的执行。在网络通信设备方面，它被广泛集成于路由器、交换机、IP 摄像头和网络附加存储（NAS）设备中，用于临时存储数据包、路由表或视频流缓冲，保障数据传输的流畅性和响应速度。在消费类电子产品中，如智能电视、机顶盒、多媒体播放器等，K4T51163QN-BIE7 提供足够的带宽来支持高清视频解码和图形渲染任务，确保用户获得流畅的视听体验。此外，该芯片也适用于医疗设备、测试测量仪器以及车载信息娱乐系统等对稳定性和耐用性有较高要求的行业应用。由于其工作温度范围宽（-40°C 至 +85°C），特别适合部署在户外或工业现场等温差较大的环境中。同时，其低功耗特性和多种节能模式使其成为便携式设备或远程监控终端的理想选择，有助于延长电池寿命并降低整体系统能耗。凭借其标准化接口、高可靠性和良好的供货历史，K4T51163QN-BIE7 成为许多成熟设计方案中的首选 DDR2 内存解决方案之一，尤其在尚未升级到 DDR3 或 DDR4 的 legacy 系统中仍具有重要地位。

K4T51163QE-HC75
　　MTC51LC64M16P2HP-4SIT