型号：K4T51163QJ-HCE6
　　制造商：Samsung
　　器件类型：LPDDR2 SDRAM
　　存储容量：1Gb (128MB)
　　组织结构：8 banks × 16M words × 8 bits
　　供电电压：1.8V ±0.1V (VDD/VDDQ)
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C (结温)
　　封装类型：FBGA, 90-ball
　　数据速率：高达200MHz时钟频率，支持400Mbps/pin（DDR）
　　访问时间：典型值约15ns
　　输入/输出逻辑：SSTL_18_I
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCSR)
　　时钟频率范围：DC to 200MHz
　　最大功耗：典型操作下低于50mW（依使用情况而定）
　　引脚数量：90 balls
　　封装尺寸：9mm × 10.5mm × 0.9mm（近似值）
　　兼容标准：JEDEC LPDDR2-N标准

K4T51163QJ-HCE6 作为一款高性能低功耗 DDR2 内存芯片，具备多项关键特性以满足移动设备对能效和性能的双重需求。首先，其核心架构基于 LPDDR2 标准，采用了双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而在不提高时钟频率的前提下有效提升数据吞吐率。每个 I/O 引脚最高可实现 400Mbps 的数据传输速率，配合 8-bit 数据总线宽度，能够为应用处理器提供足够的带宽支持图形渲染、多任务处理和多媒体播放等复杂操作。
　　其次，该器件集成了多种电源管理机制，显著降低了系统运行时的能耗。例如，它支持自动刷新和自刷新模式，在保持数据完整性的同时减少外部控制器干预；温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据芯片内部温度动态调整刷新周期，在高温环境下延长刷新间隔，避免过度刷新带来的额外功耗。此外，还提供待机模式（Standby Mode）、预充电功率下降模式（Precharge Power-down）和深度掉电模式（Deep Power-down Mode），允许系统在空闲或休眠状态下关闭部分电路电源，进一步节省电能，这对依赖电池供电的移动设备至关重要。
　　再者，K4T51163QJ-HCE6 具备良好的信号完整性和时序控制能力。其采用源同步接口设计，DQS（Data Strobe）信号由存储器发出并与数据同步传输，接收端利用 DQS 边缘对齐数据采样，提高了高速下的数据捕获可靠性。同时支持可编程读写延迟（Read/Write Latency）、突发长度（Burst Length）和突发类型（Sequential/Interleaved），增强了与不同主控平台的兼容性。内部还集成阻抗匹配电路和驱动强度调节功能，有助于优化 PCB 走线上的反射与串扰问题。
　　最后，该芯片采用紧凑型 FBGA 封装，球间距为 0.8mm，共 90 个焊球，适合高密度表面贴装工艺，便于在小型化主板上实现高效布局。所有这些特性共同使得 K4T51163QJ-HCE6 成为当时主流移动设备中理想的内存选择，兼顾了性能、功耗与物理空间限制。

K4T51163QJ-HCE6 主要应用于各类对功耗敏感且需要中等容量高速内存的便携式电子产品。最典型的应用场景是智能手机和平板电脑，作为应用处理器的外部主内存，用于运行操作系统、加载应用程序、缓存用户数据以及处理图像和视频流。由于其低电压（1.8V）特性和多种节能模式，特别适合集成在由锂电池供电的移动设备中，有助于延长设备续航时间。此外，该芯片也广泛用于移动互联网设备（MID）、电子书阅读器、便携式导航仪（PND）、智能手表（早期型号）以及工业手持终端等产品中。
　　在嵌入式系统领域，K4T51163QJ-HCE6 常被搭配 ARM 架构的应用处理器（如三星 Exynos 系列、德州仪器 OMAP 系列或高通骁龙早期平台）使用，构成完整的 SoC 外围存储子系统。其高速数据接口能够满足图形界面刷新、多窗口切换和高清音视频解码所需的内存带宽。同时，由于支持温度补偿自刷新功能，即使在环境温度变化较大的工业或户外设备中也能稳定工作，确保数据不丢失。
　　另外，该芯片还可用于某些消费类物联网设备，如智能家居控制面板、无线监控摄像头和便携式医疗监测设备，这些设备虽然计算能力要求不高，但仍需可靠的临时数据存储能力。K4T51163QJ-HCE6 提供了成本效益高、体积小、功耗低的解决方案，非常适合这类中低端嵌入式平台。尽管随着技术发展，LPDDR3 和 LPDDR4 已逐渐成为主流，但在一些维护中的旧款设备或特定工业控制系统中，K4T51163QJ-HCE6 仍具有一定的替代和维修价值。