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K4T51163QJ-BIE6 发布时间 时间:2025/12/23 14:28:24 查看 阅读:71

K4T51163QJ-BIE6是三星(Samsung)推出的一款DDR4 SDRAM存储芯片,主要应用于计算机、服务器以及其他需要高效数据处理的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺,具备高带宽、低功耗的特点,能够显著提升系统的整体性能。
  这款芯片支持DDR4标准规范,提供更快的数据传输速率和更低的工作电压,从而满足现代高性能计算的需求。

参数

类型:DRAM
  子类型:DDR4 SDRAM
  容量:16 Gb
  组织方式:16M x 8
  工作电压:1.2V
  数据速率:2666 Mbps
  封装类型:BGA
  I/O数:78
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

K4T51163QJ-BIE6采用了先进的制程技术,具备以下关键特性:
  1. 高速数据传输:支持高达2666 Mbps的数据速率,确保快速的数据交换。
  2. 低功耗设计:工作电压为1.2V,相较于前代产品显著降低了能耗。
  3. 可靠性高:经过严格的质量控制流程,能够在广泛的温度范围内稳定运行。
  4. 小型化封装:采用BGA封装形式,节省了PCB空间,便于在紧凑型设计中使用。
  5. 兼容性强:符合JEDEC DDR4标准,易于与其他兼容设备集成。

应用

该芯片广泛应用于需要大容量、高速数据处理的场景中,例如:
  1. 台式电脑和笔记本电脑的内存模块。
  2. 工作站和服务器中的高速缓存。
  3. 网络通信设备,如路由器和交换机。
  4. 工业自动化和嵌入式系统。
  5. 游戏主机和其他高性能消费类电子产品。

替代型号

K4T51163QH-BIE6, K4T51163QJ-BCE6

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