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K4T51163QG-HCE6 发布时间 时间:2025/5/19 19:08:01 查看 阅读:7

K4T51163QG-HCE6是三星(Samsung)生产的一款DDR4 SDRAM内存颗粒,主要用于计算机、服务器和其他需要高带宽内存的电子设备中。该芯片属于第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR4),具有高速度和低功耗的特点。
  这款芯片广泛应用于桌面电脑、笔记本电脑、游戏主机以及数据中心等高性能计算领域,其设计优化了内存读写速度和稳定性,以满足现代处理器对大容量高速缓存的需求。

参数

类型:DDR4 SDRAM
  容量:16Gb (2GB)
  位宽:x8/x16
  工作电压:1.2V
  速度:3200Mbps
  封装形式:BGA
  引脚数:78-ball
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:8/16 bits

特性

K4T51163QG-HCE6具备多种先进特性,使其成为高端应用的理想选择:
  1. 高速传输:支持高达3200Mbps的数据传输速率,大幅提升了数据吞吐量。
  2. 低功耗:采用1.2V的工作电压,相较于前几代产品降低了能耗,延长了电池寿命并减少了热量产生。
  3. 稳定性:通过优化的设计确保在各种环境下的稳定运行,包括极端温度条件。
  4. 小型化设计:采用球栅阵列(BGA)封装技术,使得芯片体积更小,适合紧凑型设备。
  5. ECC支持:可选配纠错码(ECC)功能,提高数据完整性和可靠性。
  6. 兼容性强:符合JEDEC DDR4标准,能够与主流平台无缝对接。

应用

K4T51163QG-HCE6适用于以下场景:
  1. 桌面和笔记本电脑:
  为个人计算机提供快速且可靠的内存支持,提升多任务处理能力和游戏性能。
  2. 数据中心和服务器:
  用于企业级服务器和云计算平台,满足大数据分析和虚拟化环境中对高性能内存的需求。
  3. 工业控制和嵌入式系统:
  在工业自动化、医疗设备及通信设备中,提供稳定的数据存储和处理能力。
  4. 游戏主机和图形工作站:
  增强图形渲染速度和复杂场景加载时间,改善用户体验。

替代型号

K4T51163QF-HCE7, K4T51163QH-HCE8

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