时间：2025/7/23 19:12:57
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K4T51163QC-ZCE6 是三星（Samsung）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，广泛用于移动设备和便携式电子产品中。这款DRAM芯片采用低功耗设计，适用于需要高存储密度和节能特性的应用。其容量为256MB，位宽为16位，工作电压为1.8V，并且采用了FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，以提供良好的电气性能和散热能力。K4T51163QC-ZCE6 主要用于智能手机、平板电脑、手持设备以及其他对功耗和性能要求较高的嵌入式系统。
容量：256MB
位宽：16位
电压：1.8V
封装：FBGA
封装尺寸：93球FBGA
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
时钟频率：最高可达166MHz
数据速率：333MHz
延迟：CL=2.5或3
封装类型：x16
型号后缀：ZCE6表示特定的性能等级和温度范围
K4T51163QC-ZCE6 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，专为移动设备和嵌入式系统设计。其核心特性之一是采用了低电压技术（1.8V），能够显著降低设备的整体功耗，从而延长电池寿命。此外，该芯片支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，以进一步优化功耗管理。
该芯片的容量为256MB，数据宽度为16位，能够在高性能应用中提供充足的数据带宽。其最大时钟频率为166MHz，对应的数据速率为333MHz，延迟CL（CAS Latency）可配置为2.5或3，提供了良好的性能灵活性。这使得K4T51163QC-ZCE6 能够在不同应用场景中平衡速度与功耗。
该芯片采用了93球FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，这种封装方式不仅节省空间，还具有良好的电气性能和热管理能力，适合在紧凑的移动设备中使用。此外，其工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），确保了在各种环境条件下都能稳定运行。
在数据完整性方面，K4T51163QC-ZCE6 支持自动预充电和突发模式操作，确保了数据访问的高效性和可靠性。它还支持多种突发长度配置，提高了内存访问的灵活性。这些特性使得该芯片非常适合用于需要高稳定性和低功耗的便携式设备。
K4T51163QC-ZCE6 通常用于需要低功耗和高性能内存的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、穿戴设备和手持终端。它也广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备和便携式医疗设备，这些设备要求内存具备良好的稳定性和能效表现。此外，该芯片还可用于需要高速数据处理的消费类电子产品，如多媒体播放器、电子书阅读器以及智能穿戴设备等。
K4T51163QC-ZCE6的替代型号包括K4T51163QC-ZCM7、K4T51163QE-ZCE6和K4T51163QE-ZCM7。这些型号在功能和性能上与K4T51163QC-ZCE6相似，但在封装、时钟频率或工作温度范围方面可能存在细微差异。选择替代型号时，应根据具体的应用需求和系统设计要求进行匹配。
