时间：2025/7/10 17:07:31
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K4T511630G-HCF8 是由三星（Samsung）生产的一款 DDR5 内存颗粒芯片，主要用于高性能计算、服务器和高端消费电子设备中。该芯片采用先进的制程工艺制造，具备高带宽、低功耗和高稳定性的特点，能够满足现代系统对内存性能的严格要求。
DDR5 技术是新一代内存标准，与 DDR4 相比，其数据传输速率更高，同时支持更高的容量和更低的工作电压，进一步提升了系统的整体效率。
类型：DRAM
接口：DDR5
容量：8Gb (1Gb=128MB)
组织结构：16 Bank Groups, 32K x 8
核心电压(Vdd)：1.1V
I/O 电压(Vddq)：1.1V
工作频率：4800MT/s - 7200MT/s
封装形式：BGA
引脚数：72-ball
温度范围：-40°C to +95°C
K4T511630G-HCF8 提供了卓越的性能表现，主要体现在以下几个方面：
1. 高速数据传输：支持高达 7200MT/s 的数据速率，显著提升系统响应速度。
2. 节能设计：采用 1.1V 工作电压，相比 DDR4 的 1.2V 更加节能。
3. 高可靠性：内置 DBI（Data Bus Inversion）和 CRC（Cyclic Redundancy Check）功能，有效降低数据错误率。
4. 大容量支持：单颗芯片提供 8Gb 容量，便于构建更大容量的内存模块。
5. 改进的架构设计：DDR5 引入了独立的 VREFDQ 和 DQ 分组设计，增强了信号完整性和稳定性。
6. 广泛的应用场景：适用于台式机、笔记本电脑、服务器、工作站及图形处理领域等高性能计算环境。
K4T511630G-HCF8 主要应用于以下领域：
1. 桌面和笔记本电脑中的高性能内存条（如 DDR5-4800/5200/6000 规格）。
2. 数据中心和企业级服务器的高带宽内存解决方案。
3. 图形工作站和专业设计软件运行所需的快速数据访问内存。
4. 游戏设备和高端显卡中的高速缓存或专用内存组件。
5. AI 训练和推理平台，支持大数据吞吐和实时处理需求。
6. 嵌入式系统和工业自动化领域，满足长时间稳定运行的要求。
K4T511630F-HCF8
K4T511630M-HCF8
K4T511630N-HCF8
