时间：2025/11/12 19:22:50
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K4T1G164QF-BCE6000 是三星（Samsung）推出的一款高性能、低功耗的DDR3 SDRAM芯片，广泛应用于嵌入式系统、网络设备、消费类电子产品以及工业控制等领域。该芯片采用FBGA封装，具有高密度存储能力与出色的信号完整性，适用于对空间和性能均有较高要求的应用场景。K4T1G164QF-BCE6000 的存储容量为1Gb（128MB），组织结构为64M x 16位，工作电压为1.5V标准电压，同时兼容1.35V的低电压运行模式，支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）等节能特性，能够有效降低系统整体功耗。该器件符合JEDEC标准规范，具备良好的互操作性和稳定性，并通过了工业级温度范围验证，可在-40°C至+85°C环境下可靠运行。其高速数据传输速率可达1600Mbps（即DDR3-1600），满足大多数中高端处理器对内存带宽的需求。此外，该芯片集成了片上终端电阻（ODT），有助于提升信号质量并减少外部元件数量，从而简化PCB设计与布局。
型号：K4T1G164QF-BCE6000
制造商：Samsung
产品类型：DDR3 SDRAM
存储容量：1 Gb
组织结构：64M x 16
电压：1.5V / 1.35V
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装类型：FBGA
引脚数：96
数据速率：1600 Mbps
时序参数（CL）：11
访问时间：约7.5ns
接口类型：并行同步
刷新模式：自动/自刷新
支持功能：ODT, TCSR, Partial Array Self-Refresh (PASR)
封装尺寸：9mm x 13mm x 1.0mm
K4T1G164QF-BCE6000 具备多项先进特性，确保其在复杂应用环境中保持高效稳定运行。首先，该芯片支持双电压操作模式，既可在标准1.5V下提供最大性能输出，也可在1.35V低电压模式下显著降低功耗，适应不同能效需求的应用场景，尤其适合便携式设备或绿色节能系统。其次，集成的片上终端（On-Die Termination, ODT）技术可动态调节内部终端电阻值，有效抑制信号反射和串扰，提高高速信号传输的完整性，减少PCB设计中的外部匹配电阻数量，节省布线空间并降低成本。
该器件还支持多种节能机制，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self-Refresh）和温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）。其中，TCSR可根据芯片内部温度动态调整刷新频率，在高温环境下增加刷新率以保证数据可靠性，在低温时降低刷新次数以节约能耗，从而实现智能功耗管理。此外，部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh, PASR）功能允许用户仅保留关键存储区域处于刷新状态，进一步延长电池寿命。
在性能方面，K4T1G164QF-BCE6000 支持DDR3-1600 数据传输速率，CL=11 的时序配置，提供高达12.8 GB/s的理论带宽（在x16配置下），满足多任务处理和高吞吐量数据交换的需求。其96球FBGA封装具有优异的散热性能和机械稳定性，适用于紧凑型高密度主板设计。所有控制信号均参考时钟边沿进行同步操作，确保精确的数据捕获与时序控制。该芯片完全符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于全球市场的合规性要求。
K4T1G164QF-BCE6000 广泛应用于需要中等容量、高性能和低功耗特性的电子系统中。典型应用包括网络通信设备如路由器、交换机和基站模块，这些设备通常要求内存具备高可靠性和长期稳定性，以应对持续的数据包转发和协议处理任务。在嵌入式系统领域，该芯片常用于工业控制器、HMI人机界面、PLC可编程逻辑控制器以及车载信息娱乐系统，支持实时操作系统（RTOS）或多任务应用程序的平稳运行。
消费类电子产品也是其主要应用方向之一，例如智能电视、机顶盒、数字录像机（DVR）和个人媒体播放器等，这些设备依赖于DDR3内存来缓存视频流、图形界面和操作系统数据。此外，在测试与测量仪器、医疗成像设备及安防监控系统中，K4T1G164QF-BCE6000 凭借其宽温工作能力和抗干扰设计，能够在恶劣环境条件下维持数据完整性。
由于其x16位宽架构，该芯片特别适合连接具有有限I/O资源的SoC或FPGA平台，减少数据总线占用，优化系统集成度。在许多基于ARM、Power Architecture 或 MIPS 架构的处理器平台上，该DDR3芯片被用作主系统内存，配合LPDDR2或更低速存储构成混合内存架构，实现性能与成本的最佳平衡。
MT41K128M16JT-15E:MICRON
EM63A165TS-6H:ELPIDA
NT5CC128M16BP-DI:NANYA
