时间：2025/4/25 13:55:16
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K4T1G164QE-HCE7 是由三星（Samsung）生产的一款DDR4 SDRAM存储芯片，主要用于服务器、工作站和高性能计算设备中。该芯片具备高带宽、低功耗和稳定性能的特点，能够满足现代计算对内存容量和速度的严格要求。
这款芯片采用了先进的制程工艺，提供更快的数据传输速率和更高的能效表现，适用于需要大规模数据处理的应用场景。
类型：DDR4 SDRAM
容量：8Gb (1Gb x 8)
工作电压：1.2V
I/O 电压：1.2V
封装类型：BGA 92L
数据速率：3200Mbps
组织结构：512M x 16
温度范围：-40°C ~ +95°C
工作频率：3200MHz
K4T1G164QE-HCE7 提供了卓越的性能和可靠性。它支持ECC（纠错码）功能以减少数据错误，同时采用JEDEC标准定义的DDR4规范进行设计。此外，芯片还具有以下特点：
1. 支持高效的突发长度操作（BL=4 或 BL=8）。
2. 内置温度传感器，允许系统监控芯片运行时的热状态。
3. 通过降低供电电压至1.2V来实现更低的能耗，相比前代DDR3技术进一步提升了能效。
4. 具有良好的信号完整性和抗干扰能力，适合复杂电磁环境下的应用。
5. 高速传输速率可达3200Mbps，确保流畅的数据交换过程。
K4T1G164QE-HCE7 芯片广泛应用于需要高效数据处理和大容量内存支持的领域，包括但不限于：
1. 数据中心和企业级服务器。
2. 高性能计算（HPC）系统。
3. 网络通信设备，如路由器和交换机。
4. 工业控制与自动化设备中的嵌入式计算机模块。
5. 人工智能及深度学习训练平台等前沿科技产品。
K4T1G164QF-HCJ7
K4T1G164QD-HCK7
