类型：SDRAM
　　架构：同步动态随机存取存储器
　　容量：64 Mbit
　　组织结构：4 banks × 16Mbit
　　数据位宽：16 bit
　　供电电压：3.3 V ± 0.3 V
　　存取时间：7.5 ns
　　最大时钟频率：133 MHz
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：LFBGA
　　引脚数：86 ball
　　输入/输出电平：LVTTL
　　刷新周期：64ms / 8192行 = 7.8μs
　　突发长度：支持1, 2, 4, 8及整页模式
　　突发类型：顺序或交织模式可选
　　CAS等待周期：2或3可选

K4S641632KUC75 的核心特性之一是其同步接口设计，所有操作均与时钟信号对齐，从而显著提升了数据传输的稳定性和系统整体性能。该芯片在每个时钟上升沿采样控制、地址和数据信号，使得处理器能够以精确的时序进行内存访问，避免了传统异步DRAM中存在的不确定延迟问题。
　　其内部采用四体（4-bank）架构，允许在一个bank执行预充电的同时，其他bank进行激活或读写操作，有效提高了内存的并发处理能力。这种交错式操作机制大大减少了总线空闲时间，提升了带宽利用率，特别适用于需要连续数据流处理的应用，如图像缓冲或网络数据包暂存。
　　该器件支持多种突发传输模式，包括突发长度为1、2、4、8以及全页模式，并可通过模式寄存器配置为顺序或交织式突发类型，满足不同系统对数据访问模式的需求。此外，它具备自动刷新和自刷新功能，在保持数据完整性的同时降低功耗，尤其在自刷新模式下可由内部计数器控制刷新操作，减轻CPU负担并适用于低功耗待机状态。
　　芯片内置可编程模式寄存器，允许用户设置CAS等待时间（CL=2或CL=3）、突发长度和类型等关键参数，增强了与不同主控芯片的兼容性。其LVTTL接口确保与3.3V逻辑系统的良好匹配，避免电平转换带来的复杂性。LFBGA封装不仅节省空间，还提供了良好的电气性能和散热特性，适合高密度表面贴装工艺。
　　总体而言，K4S641632KUC75 在设计上兼顾了速度、功耗与集成度，是一款成熟可靠的SDRAM解决方案，尽管已被新型内存技术替代，但在特定工业和通信领域仍具实用价值。

K4S641632KUC75 广泛应用于多种需要中等容量高速内存的电子系统中。典型用途包括网络通信设备，如路由器、交换机和网络接口卡（NIC），用于临时存储数据包、帧缓存和协议处理任务。在这些应用中，其快速读写能力和稳定的时序响应保证了数据吞吐的高效性。
　　工业控制领域也是该芯片的重要应用场景，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和自动化测试设备。在这些系统中，K4S641632KUC75 常作为主处理器的外部内存，用于运行实时操作系统或存储运行时变量与状态信息。
　　办公设备如激光打印机、多功能一体机和传真机也常采用此型号SDRAM，主要用于页面渲染缓冲、图像解码和任务队列管理。其7.5ns的存取速度足以应对中速打印引擎的数据供给需求。
　　此外，该芯片曾被用于早期的消费类电子产品，如机顶盒、DVD播放器和嵌入式多媒体终端，支持图形叠加、视频解码缓存等功能。在某些军用或航空电子设备的旧型号中，由于设计延续性和供应链稳定性要求，也可能继续使用该器件进行维修替换。
　　虽然当前主流设计已转向DDR或LPDDR系列内存，但K4S641632KUC75 凭借其成熟的配套设计资料和广泛的行业认知度，仍在系统升级、备件更换和技术过渡阶段发挥重要作用。

IS42S16400K-7BLI
　　MT48LC16M16A2P-75:G
　　CY7C1365KV18-75BAXI
　　EM638165TS-7G