时间：2025/11/19 14:14:05
阅读：7
K4S641632K是一款由三星（Samsung）生产的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片，属于高性能、低功耗的CMOS SDRAM器件系列。该芯片广泛应用于需要高速数据处理和大容量存储的电子设备中，如个人计算机、笔记本电脑、图形卡、网络设备以及嵌入式系统等。K4S641632K采用4M x 16位的组织结构，总容量为64兆位（8MB），工作电压为3.3V，符合标准的5V容限输入电平规范，适用于多种主流主板平台。该芯片支持突发模式读写操作，能够显著提升内存访问效率，并具备自动刷新和自刷新功能，以确保数据在长时间运行中的稳定性与完整性。其封装形式为54引脚TSOP（Thin Small Outline Package），便于高密度PCB布局，适合空间受限的应用场景。作为一款经典的SDRAM产品，K4S641632K在20世纪末至21世纪初被大量使用，在当时的计算和通信设备中扮演了关键角色。
型号：K4S641632K
制造商：Samsung
存储类型：SDRAM
存储容量：64 Mbit (4M x 16)
工作电压：3.3V ± 0.3V
数据接口宽度：16位
封装类型：54-pin TSOP II
时钟频率：最高支持166 MHz
存取时间：典型值为7ns、8ns或10ns（根据具体版本）
工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
刷新模式：自动刷新、自刷新
突发长度：支持1、2、4、8以及全页模式
地址/数据复用：支持行列地址复用
逻辑电平：LVTTL兼容输入
K4S641632K SDRAM芯片具备多项关键技术特性，使其在当时的内存市场中具有较强的竞争力。首先，它采用了同步设计架构，所有操作均与时钟信号同步，从而实现了精确的时序控制和高效的指令执行。这种同步机制允许内存控制器在一个时钟周期内发起读、写、预充电或刷新操作，极大地提升了系统整体的数据吞吐能力。此外，该芯片支持突发传输模式，用户可配置突发长度为1、2、4、8或连续模式，适用于连续地址访问场景，减少了地址总线的重复加载开销，提高了带宽利用率。
其次，K4S641632K集成了自动刷新和自刷新两种刷新机制。自动刷新由外部控制器定期触发，用于维持存储单元中电容电荷的完整性；而自刷新则可在系统进入低功耗待机状态时启用，内部计数器自主管理刷新周期，显著降低功耗，延长便携设备的电池寿命。这一特性对于早期的移动计算设备尤为重要。
再者，该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的静态功耗和良好的噪声抑制能力。其输入电路支持LVTTL（低压晶体管-晶体管逻辑）电平，兼容主流逻辑器件，降低了系统集成难度。同时，54引脚TSOP II封装不仅体积小巧，还优化了散热性能和电气特性，有利于高频信号的稳定传输。最后，K4S641632K支持多Bank架构（通常为4个独立Bank），允许交错访问不同Bank以隐藏行激活延迟，进一步提升实际有效带宽，特别适合图形处理和大数据量交换的应用需求。
K4S641632K SDRAM芯片曾广泛应用于多个领域的电子系统中。在桌面计算领域，它是许多PC主板和ISA/PCI扩展卡上的主要内存组件之一，用于扩展主存储容量。在网络通信设备中，如路由器、交换机和DSL调制解调器，该芯片被用作数据包缓冲区和协议处理缓存，保障了网络流量的高效转发。在图形显示系统中，显卡常采用此类SDRAM作为帧缓冲存储器，支持基本的2D/3D图形渲染任务。此外，在工业控制和嵌入式系统中，K4S641632K因其高可靠性和稳定的时序表现，被用于工控机、POS终端、医疗仪器和自动化设备中，承担程序存储与运行数据暂存的功能。尽管随着技术发展，DDR SDRAM已逐步取代传统SDRAM成为主流，但在一些老旧设备维护、备件替换及特定工业升级项目中，K4S641632K仍具有一定的使用价值和市场需求。
MT48LC4M16A2
