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K4S641632K-UL50 发布时间 时间:2025/9/1 22:08:27 查看 阅读:13

K4S641632K-UL50 是由三星(Samsung)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用CMOS技术制造,具有较高的存储密度和稳定性,适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片封装为TSOP(薄型小外形封装),适合嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备等领域使用。该芯片的存储容量为256Mb,组织结构为64M x 16,支持同步模式操作。

参数

容量:256Mb
  组织结构:64M x 16
  封装类型:TSOP
  工作电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  时钟频率:166MHz
  引脚数量:54
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  工艺技术:CMOS
  数据总线宽度:16位
  最大功耗:1.5W

特性

K4S641632K-UL50 是一款高性能的DRAM芯片,具备快速的存取速度和较低的延迟,适用于需要高速数据处理的系统。该芯片采用同步DRAM架构,确保数据与系统时钟同步,提高整体系统性能。其166MHz的工作频率使其适用于需要高频操作的嵌入式设备和工业控制系统。此外,该芯片的TSOP封装形式有助于减少封装尺寸,便于在紧凑型设备中使用。
  在功耗方面,K4S641632K-UL50 在工作状态下保持较低的能耗,适合对功耗有要求的应用场景。其工作电压为3.3V,兼容大多数现代电子系统的设计标准。芯片内部采用先进的CMOS技术,降低了漏电流,从而提高了能效和稳定性。
  该芯片具备良好的温度适应能力,工作温度范围为0°C至70°C,适合在工业环境和通信设备中使用。其54引脚的TSOP封装设计也提供了良好的电气性能和机械稳定性,适用于自动化生产和长期运行的系统。K4S641632K-UL50 还具备较高的数据保持能力,在刷新周期内能有效保持存储数据,减少了数据丢失的风险。

应用

K4S641632K-UL50 主要应用于需要高速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备以及测试测量仪器等。由于其高性能和稳定特性,该芯片也常用于工业自动化、视频处理系统、数据采集系统等场景。此外,该芯片适用于需要大容量缓存的微控制器系统,可以提升系统运行效率和数据处理能力。

替代型号

K4S641632K-QCBL、K4S641632K-FB50、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1361KV18-133BZXC

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