型号：K4S641632K-UC75T
　　制造商：Samsung
　　存储类型：SDRAM
　　存储容量：256 Mbit (4M x 16-bit x 4 Banks)
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：7.5ns
　　时钟频率：最高133MHz (周期7.5ns)
　　数据速率：PC133
　　接口类型：LVTTL
　　封装类型：54-pin TSOP-II
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储架构：4个Bank，每个Bank为4,194,304 x 16位
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　突发长度：1, 2, 4, 8 或 整页
　　突发类型：顺序或交错
　　地址输入：A0-A12
　　列地址选通：CAS
　　行地址选通：RAS
　　写使能：WE
　　片选信号：CS

K4S641632K-UC75T具备多项关键特性，使其成为当时主流嵌入式系统和通信设备中的理想选择。首先，该芯片采用同步架构设计，所有输入和输出操作均与时钟信号严格同步，确保了系统在高频率下运行时的数据完整性与时序一致性。其核心时钟频率可达133MHz，支持PC133标准，能够在每个时钟周期内完成一次数据传输，显著提升了整体带宽表现。此外，该器件内部划分为四个独立的Banks（银行），允许交替访问不同Bank以减少等待时间，提高连续数据读写的效率，尤其适用于图像处理、帧缓冲等需要大量连续内存访问的应用。
　　该芯片支持多种突发长度模式（包括1、2、4、8及整页突发），用户可根据实际应用需求配置突发类型为顺序或交错模式，从而优化数据流控制策略。在低功耗方面，K4S641632K-UC75T集成了自动刷新和自刷新功能，在保持数据不丢失的同时有效降低功耗，特别适合对能耗敏感的便携式设备或长时间运行的工业控制器。其3.3V供电设计兼顾了性能与兼容性，能够与大多数当时的微处理器、FPGA和ASIC无缝对接。
　　在物理层面，该芯片采用54引脚TSOP-II封装，具有较小的封装尺寸和优良的热性能，便于在空间受限的PCB板上布局布线。所有引脚定义遵循行业通用规范，增强了与其他SDRAM器件的互换性和系统设计的灵活性。此外，器件具备良好的抗噪声能力和稳定的电气特性，可在商业级温度范围内长期可靠运行。虽然该型号目前已趋于停产，但其技术指标仍满足许多 legacy 系统的需求，因此在维修、备件替换和旧设备维护领域依然具有重要地位。

K4S641632K-UC75T因其高性能和稳定性，被广泛应用于多个领域的电子系统中。在网络通信设备中，如路由器、交换机和网络接口卡，该芯片常被用作数据包缓存或临时存储单元，以支持高速数据转发和协议处理任务。在嵌入式系统中，尤其是基于ARM、PowerPC或MIPS架构的主板上，它作为主内存使用，为操作系统和应用程序提供运行空间，常见于工业控制终端、人机界面（HMI）设备和自动化仪表中。
　　在消费类电子产品方面，K4S641632K-UC75T也广泛用于打印机、多功能一体机、LCD显示器和电视盒子等设备中，用于图形帧缓冲、字体缓存或视频处理中间数据的暂存。由于其支持突发读写和多Bank结构，能够高效支持图像渲染和屏幕刷新操作。此外，在医疗设备、测试仪器和POS终端等对系统稳定性和数据可靠性要求较高的场合，该芯片也被用作关键的内存组件。
　　在军事和航空航天领域的一些非极端环境下的地面设备中，该型号也曾用于雷达信号处理模块、通信基站控制器等子系统中。尽管当前新型设计更多转向DDR或LPDDR系列内存，但K4S641632K-UC75T仍在大量已部署系统的维护和升级中发挥着作用，尤其是在无法更换主板架构的老化设备中，它是不可或缺的替换元件。

K4S641632K-UC80T
　　K4S641632K-UC75