类型：Mobile SDRAM
　　容量：64Mbit (8MB)
　　组织结构：4 Banks x 16,777,216 words x 8 bits
　　数据总线宽度：8位
　　供电电压：2.4V ~ 2.7V（核心电压VDD/VDDQ）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　封装形式：TSOP-II (Thin Small Outline Package)
　　引脚数：54-pin
　　时钟频率：最高支持150MHz
　　数据速率：150 Mbps/pin
　　访问时间：约7.5ns（在CL=3时）
　　突发长度：支持1, 2, 4, 8以及整页突发模式
　　CAS等待周期（CAS Latency）：可配置为2或3
　　刷新模式：支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）
　　低功耗特性：具备部分阵列自刷新（PASR）、深度掉电模式等节能机制

K4S640832F-TC75000作为一款专为移动设备优化的SDRAM芯片，具备多项先进特性以提升系统性能并降低整体功耗。
　　首先，该芯片采用了双Bank架构设计，共包含4个独立的存储Bank，允许在不同Bank之间进行快速切换，从而实现更高的并发访问效率和数据吞吐能力。这种多Bank结构有效减少了因Bank冲突导致的延迟，提升了整体内存带宽利用率，特别适合图形处理、视频解码等需要频繁读写操作的应用场景。
　　其次，该器件支持多种突发传输模式，包括固定长度突发（Burst Length of 1, 2, 4, 8）以及整页突发（Full Page Burst），用户可根据具体应用需求灵活配置，以平衡传输效率与控制复杂度。同时，CAS等待周期（Latency）可在CL=2和CL=3之间选择，使得系统设计者能够在高速响应与信号完整性之间做出权衡，适应不同的主板布线条件和控制器能力。
　　再者，K4S640832F-TC75000集成了多种低功耗管理技术。例如，自刷新模式（Self Refresh）可在系统休眠期间由芯片内部维持数据刷新，显著降低外部控制器的唤醒频率；部分阵列自刷新（PASR）功能允许仅对正在使用的存储区域进行刷新，进一步减少不必要的电流消耗；此外还支持深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下芯片几乎不消耗静态电流，非常适合电池供电设备延长待机时间。
　　该芯片还具备良好的电气兼容性和稳定性，采用LVTTL接口电平，与大多数主流处理器和基带芯片兼容。其TSOP-II封装具有较小的封装尺寸和优良的散热性能，便于在空间受限的便携式设备中布局安装。所有控制信号均与时钟上升沿同步，确保了精确的时序控制和抗干扰能力。整体设计充分考虑了高频工作的信号完整性问题，支持稳定的高速数据传输，适用于对实时性要求较高的多媒体应用。最后，该产品经过严格的工业标准测试，具备高可靠性和长生命周期支持，适合用于消费电子、工业控制及车载信息娱乐系统等多种应用场景。

K4S640832F-TC75000广泛应用于各类需要高性能、低功耗内存支持的便携式电子设备中。首先，在智能手机和平板电脑领域，该芯片常被用作应用处理器的外部缓存或主内存，支持操作系统运行、应用程序加载、图形渲染等关键任务，尤其适用于早期Android或Windows Mobile平台的中端机型。其次，在多媒体播放器和电子书阅读器中，该SDRAM可用于临时存储音频、视频解码过程中的帧数据或页面缓存，提升用户体验流畅度。此外，它也被集成于数字电视盒子、机顶盒和智能显示终端中，配合主控芯片完成图像叠加、视频缩放和UI界面绘制等功能。
　　在嵌入式系统方面，该芯片适用于工业人机界面（HMI）、POS收银机、条码扫描仪、医疗监测设备等需要稳定内存支持的小型控制系统。由于其具备良好的温度适应性和抗干扰能力，也可用于车载导航系统、行车记录仪等汽车电子模块中，满足车规级外围设备的运行需求。
　　另外，一些网络通信设备如无线路由器、VoIP电话、IP摄像头等也会采用此类移动SDRAM作为协议栈处理和数据包缓冲的临时存储介质。尤其是在成本敏感但性能要求适中的产品中，K4S640832F-TC75000因其性价比优势而受到青睐。
　　值得一提的是，尽管当前主流设备已转向DDR或LPDDR系列内存，但在许多仍在生产的旧款设备或维护项目中，该型号仍具有重要的替换和补料价值。因此，它不仅服务于新产品设计，也广泛用于售后维修市场和备件供应体系。

K4S640832F-TC70