时间：2025/5/20 22:08:07
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K4S561632E-TC75 是一款由三星（Samsung）生产的 DDR3L SDRAM 芯片，采用 75 球 FBGA 封装。该芯片具有低功耗特性，适合应用于移动设备、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的场景。
DDR3L 是 DDR3 的低电压版本，工作电压为 1.35V，相较于标准 DDR3 的 1.5V 更加节能。K4S561632E-TC75 提供了高带宽和快速的数据传输能力，满足现代电子设备对性能的需求。
容量：4Gb
组织方式：16M x 16
位宽：16位
核心电压(Vcc)：1.35V
I/O 电压(Vccq)：1.35V
数据速率：800Mbps, 1066Mbps, 1333Mbps, 1600Mbps
封装类型：FBGA 75球
工作温度范围：-40°C 到 +85°C
引脚间距：1mm
封装尺寸：9mm x 10mm
K4S561632E-TC75 具有以下主要特性：
1. 支持 DDR3L 标准，兼容 JEDEC 规范。
2. 提供高达 1600Mbps 的数据传输速率，能够满足高性能应用的需求。
3. 工作电压为 1.35V，有效降低功耗。
4. 内置 DLL（延迟锁定环路），用于精确控制时序。
5. 支持突发长度为 4 和 8 的数据传输模式。
6. 提供多种 CAS 延迟设置选项，可根据具体需求优化性能。
7. 支持 On-Die Termination (ODT)，以改善信号完整性。
8. 自动刷新和自检功能，简化系统设计。
9. 小型化的 FBGA 封装，节省 PCB 空间。
10. 广泛的工作温度范围，适应多种环境条件。
K4S561632E-TC75 可广泛应用于以下领域：
1. 移动设备，如智能手机和平板电脑。
2. 嵌入式系统，例如工业自动化设备、医疗仪器等。
3. 网络通信设备，包括路由器、交换机等。
4. 消费类电子产品，例如数字电视、机顶盒等。
5. 便携式游戏设备及其他便携式电子装置。
由于其低功耗和高带宽的特点，K4S561632E-TC75 成为需要高效能同时兼顾低能耗的应用的理想选择。
K4B2G164QF-BCN75, K4B4G164QH-DCK0, MT4G8B128HZ-083E
